[发明专利]光电动势元件及其制造方法、太阳能电池模块

权利要求书

1.一种光电动势元件的制造方法，包括：

在半导体晶体基板的一方的面的第1区域形成n型半导体层的工序；

在所述一方的面的第2区域形成p型半导体层的工序；

在包括所述n型半导体层以及所述p型半导体层的表面的所述一方的面，一并形成以氧化物为主成分的接触电极层的工序；

调整所述第1区域上或者所述第2区域上的所述接触电极层的载流子浓度，以使所述第1区域上的所述接触电极层的载流子浓度大于所述第2区域上的所述接触电极层的载流子浓度的工序；以及

断开所述第1区域上的所述接触电极层和所述第2区域上的所述接触电极层的工序。

2.根据权利要求1所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

半导体晶体基板是硅晶片，

构成接触电极层的氧化物包含氧化铟、氧化钛、氧化锡以及氧化锌中的某一种。

3.根据权利要求2所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

包括在半导体晶体基板的一方的面形成本征硅层的工序，

n型半导体层以及p型半导体层是非晶硅膜，

在所述本征硅层上形成所述n型半导体层以及所述p型半导体层。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

调整第2区域上的接触电极层的载流子浓度的工序包括：

配置覆盖第1区域上的接触电极层的保护掩模的工序；以及

向所述第2区域上的所述接触电极层照射氧化性的等离子体的工序。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

调整第1区域的接触电极层的载流子浓度的工序包括：

配置覆盖第2区域上的接触电极层的保护掩模的工序；以及

向所述第1区域上的所述接触电极层照射还原性的等离子体的工序。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

向将第1区域和第2区域隔开的第3区域上照射激光，断开第1区域上的接触电极层和第2区域上的接触电极层。

7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，包括：

在第1区域上以及第2区域上的接触电极层上形成金属电极层的工序；以及

对将第1区域和第2区域隔开的第3区域的接触电极层进行湿蚀刻的工序。

8.根据权利要求6或者7所述的光电动势元件的制造方法，其特征在于，

包括在将第1区域和第2区域隔开的、本征硅层表面的第3区域配置绝缘性部件的工序。

9.一种光电动势元件，具有：

n型半导体层，形成于半导体晶体基板上的第1区域；

p型半导体层，形成于所述半导体晶体基板上的第2区域；

第1接触电极层，形成于所述n型半导体层上；

第2接触电极层，形成于所述p型半导体层上；以及

金属电极层，形成于所述第1接触电极层以及第2接触电极层上，

所述第1接触电极层以及第2接触电极层是一并地制作的导电性氧化物膜，

所述第1接触电极层的载流子浓度大于所述第2接触电极层的载流子浓度。

10.根据权利要求9所述的光电动势元件，其特征在于，

半导体晶体基板是硅晶片，

构成第1接触电极层以及第2接触电极层的氧化物包含氧化铟、氧化钛、氧化锡以及氧化锌中的某一种。

11.根据权利要求10所述的光电动势元件，其特征在于，

半导体晶体基板的一方的面包括本征硅层，

n型半导体层以及p型半导体层是形成在所述本征硅层上的非晶硅膜。

12.一种太阳能电池模块，其特征在于，

排列多个权利要求9至11中的任意一项所述的光电动势元件，电气地串联或者并联地连接而成。