[发明专利]在NAND快闪存储器的写入操作期间通过均衡和调整源极、阱和位线的电荷循环

权利要求书

1.一种对非易失性存储器电路进行编程的方法，所述非易失性存储器电路具有根据NAND型结构沿多条位线和多条字线形成的非易失性存储器单元，所述方法包括：

对沿已选择的字线的所述存储器单元执行交替的多个脉冲操作和验证操作，其中脉冲操作包括：

分别将所述位线偏置在多个值中的一个值处，所述多个值包括编程禁止电平和编程使能电平；

将用于所述位线的公共源极线偏置在第一非零电压电平处；以及

在所述位线和所述公共源极线被如此偏置的同时，将编程脉冲施加至所述已选择的字线；

并且其中验证操作包括：

将所述位线偏置在验证电平处；以及

同时地将所述公共源极线偏置在第二非零电压电平处；以及

在所述脉冲操作之后并且在随后的所述验证操作之前，将所述位线和所述公共源极线均衡在非零电压电平处。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所述位线和所述公共源极线均衡之后并且在随后的所述验证操作之前，将所述位线和所述公共源极线调整在公共的、非零电压电平处。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述存储器单元根据阱结构形成，并且所述验证操作还包括将所述阱结构设置为地电平。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述存储器单元根据阱结构形成并且所述验证操作还包括同时将所述阱结构偏置在第三非零电压电平处，并且其中所述方法还包括：

在所述脉冲操作之后并且在随后的验证操作之前，将所述阱结构均衡在与所述位线和所述公共源极线相同的电压电平处；以及

在对所述阱结构、所述位线和所述公共源极线均衡之后并且在随后的所述验证操作之前，将所述阱结构调整在与所述位线和所述公共源极线相同的公共电压电平处。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三非零电压电平与所述第二非零电压电平相同。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述位线和所述公共源极线被调整成的所述公共电压电平是所述第二非零电压电平。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在随后的所述验证操作期间，所述公共源极线被调整在所述第二非零电压电平处。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述验证电平高于所述第二非零电压电平。

9.根据权利要求2所述的方法，其中在所述脉冲操作期间所述位线被偏置成的所述多个值包括部分禁止电平。

10.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一非零电压电平高于所述第二非零电压电平。

11.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述验证操作之后并且在随后的所述脉冲操作之前，将所述位线和所述公共源极线均衡在非零电压电平处。

12.一种非易失性存储器电路，包括：

非易失性存储器单元的阵列，所述阵列根据NAND型结构沿多条位线和多条字线形成；

编程和感测电路，所述编程和感测电路能够与所述阵列连接，从而执行包括交替的一系列脉冲操作和验证操作的写入操作；

调整电路，包括：

比较器，所述比较器具有被连接用以接收基准电压的第一输入以及被连接用以接收来自所述比较器的输出端的反馈的第二输入；

第一开关，所述第一开关被连接用以响应于被赋值的控制信号将所述比较器的输出提供给所述位线；以及

第二开关，所述第二开关被连接用以响应于被赋值的所述控制信号将所述比较器的输出提供给所述阵列的公共源极线；以及

控制电路，所述控制电路与所述编程和感测电路以及所述调整电路连接，其中在写入操作期间，所述控制电路在从脉冲操作向随后的所述验证操作转换期间为所述控制信号赋值。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器电路，其中在验证操作期间所述比较器的输出被调整在用于公共源极线的所述电压电平处。

14.根据权利要求12所述的非易失性存储器电路，其中所述阵列根据阱结构形成，并且所述调整电路还包括：

第三开关，所述第三开关被连接用以响应于被赋值的所述控制信号将所述比较器的输出提供给所述阱结构。