[发明专利]用于质谱仪在高压时的改进性能的射频(RF)离子引导器

权利要求书

1.一种质谱仪，其具有保持在第一压力的入口以及保持在比所述第一压力更小的第二压力的区域，所述入口配置为接收离子引导器，其中，所述离子引导器包括：

衬底，包括其上部署的多个电极，所述衬底在第一端处形成第一开孔并且在第二端处形成第二开孔，其中，所述第一开孔配置为接收处于所述第一压力的离子；

多个沟道，其提供在所述衬底中，其中，所述多个沟道中的每一个提供在相应的相邻成对的所述多个电极之间；

用于在相邻成对的所述多个电极之间施加射频电压的部件，其中，射频电压在所述衬底限定的区域中创建场；

用于沿着所述多个电极中的每一个的长度而施加直流(DC)电压降的部件。

2.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述衬底是第一衬底，所述多个电极是多个第一电极，所述离子引导器还包括：第二衬底，其包括其上部署的多个第二电极，所述第一衬底和所述第二衬底在所述第一端处形成所述第一开孔的各侧，并且在所述第二端处形成所述第二开孔的各侧。

3.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一开孔具有第一面积，所述第二开孔具有比所述第一面积更小的第二面积。

4.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一开孔具有第一面积，所述第二开孔具有与所述第一面积实质上相同的第二面积。

5.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述衬底是平面的。

6.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一衬底实质上是平面的，所述第二衬底实质上是平面的。

7.如权利要求1所述的质谱仪，还包括：接口限制器，其部署在离子源与离子引导器之间，其中，所述离子源处于比所述第一压力更大的第三压力。

8.如权利要求2所述的质谱仪，还包括：第三衬底，其部署在所述离子引导器的侧壁之上；第四衬底，其部署在所述离子引导器的另一侧壁之上。

9.如权利要求8所述的质谱仪，其中，所述第三衬底包括所述第三衬底的整个表面之上所部署的导电材料，并且所述第四衬底包括所述第四衬底的整个表面之上所部署的导电材料。

10.如权利要求9所述的质谱仪，其中，所述第三衬底包括其上部署的多个第三电极，所述第四衬底包括其上部署的多个第四电极。

11.一种离子引导器，包括：

多个第一电极，其相对于轴而被部署；

第一开孔，其处于所述多个第一电极的第一端；

第二开孔，其处于所述多个第一电极的第二端；

衬底，包括其上部署的多个第二电极，所述衬底被部署得实质上与所述第二开孔正交，并且包括与所述第二开孔实质上对准的孔径，其中，所述第二电极是实质上圆形的并且多个第二电极之间是实质上同心的，或者所述第二电极是线性的并且多个第二电极之间实质上彼此平行；

用于在相邻成对的所述第一电极之间以及相邻成对的所述第二电极之间施加射频电压的部件，其中，所述射频电压在所述第一电极之间以及所述第二电极之间的区域中创建离子禁闭电动场；

用于在所述第一开孔与所述第二开孔之间施加直流(DC)电压降的部件。

12.如权利要求11所述的离子引导器，其中，所述第一开孔具有第一面积，所述第二开孔具有第二面积，所述第一面积比所述第二面积更大。

13.如权利要求12所述的离子引导器，其中，所述孔径具有第三面积，所述第三面积实质上与所述第二面积相同。

14.如权利要求11所述的离子引导器，其中，所述第一电极是每一个均具有第一端以及远离所述第一端的第二端的杆，所述第一开孔由各所述第一端形成，所述第二开孔由各所述第二端形成。