[发明专利]光半导体器件有效
| 申请号： | 201280071341.7 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104170189B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 秋山知之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50;H01S5/14 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;向勇 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种光半导体器件，其特征在于，
所述光半导体器件具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器；
所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜，所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器；
所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器；
所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。
2.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，所述环形波导路径和所述第一环谐振器之间的缝宽比所述调制器波导路径和所述第二环谐振器之间的缝宽更窄。
3.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，
所述环形波导路径具有：
第一波导路径部分，以第一宽度与所述多个第一环谐振器进行光耦合；
第二波导路径部分，具有比所述第一宽度更宽的宽度。
4.如权利要求3所述的光半导体器件，其特征在于，所述环形波导路径具有锥形的第三波导路径部分，所述第三波导路径部分用于连接所述第一波导路径部分和所述第二波导路径部分。
5.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，所述环形波导路径在与各个第一环谐振器相邻的波导路径部分，具有掺杂区域。
6.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，所述环形波导路径在与各个所述第一环谐振器相邻的波导路径部分，具有用于覆盖所述波导路径部分的防反射膜。
7.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，所述环形波导路径在与各个所述第一环谐振器相向的波导路径部分，具有加大波导路径芯部宽度的反射抑制区域。
8.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，
所述第一环谐振器和所述第二环谐振器呈具有直线部分的赛道形状，
所述第一环谐振器的所述直线部分的长度，比所述第二环谐振器的所述直线部分的长度更长。
9.如权利要求1所述的光半导体器件，其特征在于，
所述光调制器具有马赫-曾德尔干涉仪，
所述激光振荡器配置在由所述马赫-曾德尔干涉仪的两个臂围成的区域。
10.如权利要求9所述的光半导体器件，其特征在于，所述激光振荡器的所述第一环谐振器和所述光调制器的所述第二环谐振器被交替配置。
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