[发明专利]用于对接合压力进行压力传递的压力传递板在审
申请号: | 201280071543.1 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN104170072A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | J.布格拉夫;P-O.杭魏尔;C.佩劳 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23K20/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨国治;傅永霄 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 接合 压力 进行 传递 | ||
1.一种压力传递板(4,4'),用于尤其是在热压接合时将接合压力从压力施加设备(1)压力传递到晶片(5)上,具有:
-第一压力侧(4d),其用于接触压力施加设备(1);
-背向第一压力侧(4d)的第二压力侧(4o,4o'),所述第二压力侧(4o,4o')具有用于对晶片(5)进行接触和压力施加的有效接触面(4k),其中至少有效接触面(4k)具有相对于晶片(5)的小附着能力。
2.根据权利要求1所述的压力传递板,其中所述附着能力由小于0.1 J/m2、尤其是小于0.01J/m2、优选小于0.001J/m2、更优选小于0.0001J/m2、理想地小于0.00001J/m2的表面能来定义。
3.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中接触面(4k)的附着能力用大于20°、尤其是大于50°、优选大于90°、更优选大于150°的接触角来定义。
4.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中压力传递板(4,4')被构造成尤其具有小于2mm、优选小于1mm、较优选小于0.5mm、更优选小于0.1mm、最优选小于0.01mm的网孔尺寸M的栅格网。
5.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中至少第二压力侧(4o,4o')的接触面(4k)具有尤其是通过喷丸、喷沙、打磨和/或抛光生成的处于l00nm至100μm之间的表面粗糙度M'、尤其是处于1μm至10μm之间的表面粗糙度M'、更优选处于3μm至5μm之间的表面粗糙度M'。
6.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中压力传递板(4,4')由直到至少400°C、尤其是直到至少800°C、优选直到至少1200°C、更优选直到至少2000°C、更优选直到至少3000°C为热力学上稳定的材料形成。
7.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中压力传递板(4,4')由如下材料形成:所述材料尤其是跨大温度范围地、尤其是在高于400°C的温度、大于100MPa、尤其是大于500MPa、优选大于1000MPa、更优选大于2000MPa下具有不变和高的耐压强度。
8.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中压力传递板(4,4')具有小于15mm、优选小于10 mm、较优选小于5mm、更优选小于1 mm、最优选小于0.1 mm、第一优选小于0.05 mm的厚度d。
9.根据前述权利要求之一所述的压力传递板,其中至少第二压力侧(4o,4o')、优选整个压力传递板(4,4')由在给定条件下相对于晶片(5)为惰性和/或者不与晶片材料反应和/或相对于晶片材料不可溶的材料形成。
10.一种将根据前述权利要求之一所述的压力传递板(4,4')在接合时、尤其是在热压接合时的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造