[发明专利]太阳电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池。

背景技术

太阳电池收集由于光入射而在光电转换部生成的载流子。例如，专利文献1中记载：形成在光电转换部的受光面上的集电电极，作为收集在光电转换部生成的电子和空穴即载流子的多条细线状的细线电极、和收集由细线电极收集的载流子的主栅线电极发挥作用。其中，形成在光电转换部的背面的集电电极也作为多条细线状的细线电极和主栅线电极发挥作用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-206493号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

将收集在光电转换部生成的电子和空穴即载流子的电极称作集电电极或集电极，则存在在光电转换部的外周侧生成的载流子迁移至集电极的前端的距离变长的区域。因此，无法充分提高作为太阳电池的性能的FF＝{(最大输出点的V_max·I_max)/(光照射时的开路电压V_OC·短路电流I_SC)}。

用于解决问题的技术方案

本发明的太阳电池包括：光电转换部；和相互分离地配置在光电转换部的主面上的多个集电极，多个集电极包括第一副栅线电极和与第一副栅线电极相邻的第二副栅线电极，多个集电极还包括配置成从第一副栅线电极的前端向第二副栅线电极延伸，与第二副栅线电极之间隔开分离间隔的辅助电极。

发明效果

根据本发明的太阳电池，能够充分提高FF。

附图说明

图1是本发明的实施方式的太阳电池的平面图。

图2是表示现有技术中光电转换部的转角部的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图3是表示本发明的实施方式的太阳电池的光电转换部的转角部的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图4是说明比较例的在光电转换部的转角部连接相邻的副栅线电极的前端时的遮光损耗和集电效率的图。

图5是表示现有技术的光电转换部的转角部以外的平行部的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图6是表示本发明的实施方式的太阳电池的光电转换部的转角部以外的平行部的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图7是说明比较例的在光电转换部的转角部以外的部位连接相邻的副栅线电极的前端时的遮光损耗和集电效率的图。

图8是表示现有技术的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图9是表示本发明的实施方式的太阳电池的具有辅助电极的副栅线电极的前端的集电的情况的图。

图10是本发明的实施方式的太阳电池的配置有透明导电层时的平面图。

具体实施方式

以下利用附图，对本发明的实施方式进行详细说明。以下，在所有附图，对同样的元件标注相同的附图标记，省略重复说明。另外，本文中的说明根据需要使用之前说明的附图标记。

图1是表示太阳电池10的结构的平面图。太阳电池10，作为主面包括作为光从太阳电池10的外部入射的面的受光面，和作为与受光面相反侧的面的背面，但图1示出的是受光面。

太阳电池10包括通过接收太阳光等光来生成一对空穴和电子即光生载流子的光电转换部11。光电转换部11具有例如晶体硅(c-Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体材料的衬底。

光电转换部11具有pn结，其具有将太阳光等光转换为电的功能。pn结能够通过在半导体材料的衬底上利用扩散技术等形成p型区域和n型区域而得到。pn结具有光电转换功能即可，也可以是含i层的广义pn结。例如，能够利用n型单晶硅衬底与非晶硅的异质结。对利用异质结的太阳电池的结构在后面说明。除此之外，例如也可以采用包括p型多晶硅衬底、形成在其受光面侧的n型扩散层和形成在其背面侧的铝金属膜的结构。

光电转换部11的平面形状呈斜着切除了正方形的四角的多边形形状。图1中，将斜着切除的部分作为转角部12，将转角部12之间的部分作为平行部13示出。光电转换部11的平面形状也可以是除此之外的形状。例如，也可以是正方形、长方形、圆形、椭圆形等。