[发明专利]包括抗谐振波导的混合激光器

权利要求书

1.一种混合激光器装置，包括：

第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及

第二半导体区域，与所述第一半导体区域耦合，其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层，并且还包括光波导，被布置在所述光波导的第一侧的第一沟槽，被布置在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧的第二沟槽，被布置在所述光波导的所述第一侧使得所述第一沟槽在第三沟槽和所述光波导之间的第三沟槽，以及被布置在所述光波导的所述第二侧使得所述第二沟槽在第四沟槽和所述光波导之间的第四沟槽，其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述光波导由一对波导沟槽限定。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体区域的层直接与所述第二半导体区域的硅层结合，其中，所述第一半导体区域的所述层由磷化铟组成。

4.如权利要求3所述的装置，进一步包括：

第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及

第二电触点，与所述第一半导体区域的所述磷化铟层耦合。

5.如权利要求3所述的装置，进一步包括：

第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及

第二电触点，与所述第二半导体区域的硅层耦合。

6.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体区域的层包括：

欧姆接触层，与第一电触点层耦合；

覆层，与所述欧姆接触层耦合；

分离限制异质结构SCH层，与所述覆层耦合；

载流子阻挡层，与所述SCH层耦合；

多量子阱MQW层，与所述SCH层耦合；以及

磷化铟层，与所述MQW层耦合，其中，所述磷化铟层的表面与所述第二半导体区域的层的表面耦合。

7.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二半导体区域包括绝缘体上硅结构。

8.一种包括一个或多个混合激光器的系统，所述系统包括：

接收器，用于接收光信号；以及

发射器，用于发射所述光信号，所述发射器包括混合激光器以便生成激光束，所述混合激光器包括：

第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及

第二半导体区域，与所述第一半导体区域耦合，其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层，并且还包括光波导，被布置在所述光波导的第一侧的第一沟槽，被布置在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧的第二沟槽，被布置在所述光波导的所述第一侧使得所述第一沟槽在第三沟槽和所述光波导之间的第三沟槽，以及被布置在所述光波导的所述第二侧使得所述第二沟槽在第四沟槽和所述光波导之间的第四沟槽，其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间。

9.如权利要求8所述的系统，进一步包括调制器，与所述混合激光器耦合，以便调制在所述光波导上发射的所述激光束。

10.如权利要求9所述的系统，其中，所述接收器包括光检测器，以便检测经调制的激光束。

11.如权利要求8所述的系统，其中，所述光波导由一对波导沟槽限定。

12.如权利要求8所述的系统，其中，所述第一半导体区域的层直接与所述第二半导体区域的硅层结合，其中，所述第一半导体区域的所述层由磷化铟组成。

13.如权利要求12所述的系统，进一步包括：

第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及

第二电触点，与所述第一半导体区域的所述磷化铟层耦合。

14.如权利要求12所述的系统，进一步包括：

第一电触点，与所述第一半导体区域的所述有源区域耦合；以及

第二电触点，与所述第二半导体区域的硅层耦合。