[发明专利]能量存储设备、制造其的方法以及包含其的移动电子设备

权利要求书

1.一种能量存储设备，包括：

第一多孔半导体结构，其包括第一多个沟道，所述第一多个沟道包含第一电解质；

第二多孔半导体结构，其包括第二多个沟道，所述第二多个沟道包含不同于所述第一电解质的第二电解质；以及

所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜，所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料以用于增强存储在所述能量存储设备中的电荷的量。

2.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构被形成在从由以下各项构成的组中选择的任意一种材料中：硅、锗、SiC、GaAs和InP。

3.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述材料是能够通过原子层沉积而沉积的材料。

4.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述材料是传导聚合物。

5.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述材料包括氮化物、碳化物、氧化物、硅化物、硼化物、硼硅化物、磷化物或硼磷化物。

6.如权利要求5所述的能量存储设备，其中：

所述氮化物是钛、钒、铌、钽、钼、钨、铬、钒钛或钛铝的氮化物；

所述碳化物是钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼或钨的碳化物；

所述硅化物或硼硅化物是钛、锆、铪、镍或钴的硅化物或硼硅化物；

所述磷化物或硼磷化物是铁、钌、钴或镍的磷化物或硼磷化物；以及

所述氧化物是钌、铅、碳/过渡金属合成物、铱、钴、锰、钼或钨的氧化物。

7.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包括非水系电解质。

8.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

9.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子；以及

所述能量存储设备还包括势垒层，所述势垒层涂覆所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一。

10.如权利要求9所述的能量存储设备，其中：

所述金属离子包括锂和钠至少之一的离子。

11.如权利要求9所述的能量存储设备，其中：

所述势垒层包括TiN、钌、钨、铜以及高k氧化物中的一个或多个。

12.一种能量存储设备，包括：

第一多孔半导体结构，其包括第一多个沟道，所述第一多个沟道包含第一电解质；以及

第二多孔半导体结构，其包括第二多个沟道，所述第二多个沟道包含不同于所述第一电解质的第二电解质，其中所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子以用于增强存储在所述能量存储设备中的电荷的量。

13.如权利要求12所述的能量存储设备，其中：

所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构被形成在从由以下各项构成的组中选择的任意一种材料中：硅、锗、SiC、GaAs和InP。

14.如权利要求12所述的能量存储设备，其中：

所述金属离子包括锂和钠至少之一的离子。

15.如权利要求12所述的能量存储设备，其中：

所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包括非水系电解质。