[发明专利]扭曲校正可变形显示器

权利要求书

1.一种自校正可变形显示器，所述自校正可变形显示器包括：

可变形显示器，所述可变形显示器包括至少第一像素和第二像素；以及

应变传感器的阵列，所述应变传感器的阵列并入在所述可变形显示器中，

其中，所述应变传感器的阵列被构造为检测至少所述第一像素与所述第二像素之间的扭曲并且提供关于所述扭曲的数据，

其中，所述可变形显示器被构造为通过基于至少所述第一像素或所述第二像素的移位而校准至少所述第一像素或所述第二像素的像素强度来补偿所述移位，并且被构造为在补偿的显示图像中显示至少所述第一像素或所述第二像素的调整的像素强度，

其中，所述应变传感器的阵列被构造为与处理器通信，所述处理器根据来自所述应变传感器的阵列的应变值的集合生成扭曲图，其中，所述应变传感器的阵列中的应变传感器的密度是所述可变形显示器中的像素的密度的大约1/10，其中，所述扭曲图表示原始图像在扭曲被施加到所述可变形显示器时的扭曲，并且

其中，所述扭曲图能用于响应于所述可变形显示器的扭曲来调整所述补偿的显示图像的外观。

2.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述应变传感器的阵列包括电阻丝、电容计或光导中的至少一个。

3.根据权利要求2所述的自校正可变形显示器，其中，所述电阻丝包括下述中的至少一个：碳纳米管、导电聚合物、石墨填充聚合物、石墨烯填充聚合物或金属填充聚合物。

4.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述可变形显示器包括弹性体基板。

5.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述处理器是从下述中的至少一个中选择的：使用场可编程门阵列(FPGA)或专用集成电路(ASIC)。

6.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述处理器被构造为提供初始图像，处理来自所述应变传感器的阵列的信息以将所述初始图像转换为所述补偿的显示图像，并且将所述补偿的显示图像显示在所述可变形显示器上。

7.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述应变传感器的阵列能够测量25％以上的应变。

8.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述应变传感器的阵列包括掺杂有多壁碳纳米管的聚二甲硅氧烷。

9.根据权利要求8所述的自校正可变形显示器，其中，所述应变传感器的阵列包括双轴电阻应变计。

10.根据权利要求9所述的自校正可变形显示器，其中，所述双轴电阻应变计包括与第二部件交叉的第一部件。

11.根据权利要求10所述的自校正可变形显示器，其中，与所述第二部件交叉的所述第一部件形成了包括第一末端、第二末端、第三末端和第四末端的十字形状。

12.根据权利要求11所述的自校正可变形显示器，其中，第一电气引线连接到所述第一末端，第二电气引线连接到所述第二末端，第三电气引线连接到所述第三末端并且第四电气引线连接到所述第四末端。

13.根据权利要求12所述的自校正可变形显示器，其中，所述第一电气引线和所述第一末端形成大约90度角度，其中，所述第二电气引线和所述第二末端形成大约90度角度，其中，所述第三电气引线和所述第三末端形成大约90度角度，并且其中，所述第四电气引线和所述第四末端形成大约90度角度。

14.根据权利要求13所述的自校正可变形显示器，其中，所述第一电气引线、所述第二电气引线、所述第三电气引线和所述第四电气引线包括掺杂有多壁碳纳米管的聚二甲硅氧烷。

15.根据权利要求14所述的自校正可变形显示器，其中，所述第一部件的宽度小于大约50微米。

16.根据权利要求15所述的自校正可变形显示器，其中，所述第一部件的厚度为至少大约1微米。

17.根据权利要求16所述的自校正可变形显示器，其中，从所述第三电气引线到所述第一电气引线的距离为大约100至500微米。

18.根据权利要求1所述的自校正可变形显示器，其中，所述第一像素包括第一发光二极管，并且其中，所述第二像素包括第二发光二极管。