[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法、太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，具备：

在一面侧具有第2导电型的杂质元素扩散了的杂质扩散层的第1导电型的半导体衬底；

在所述杂质扩散层上形成了的由所述半导体衬底的材料的氧化膜构成的钝化膜；

由具有与所述氧化膜不同的折射率的透光性材料构成、在所述钝化膜上形成了的防反射膜；

与所述杂质扩散层电连接而在所述半导体衬底的一面侧形成了的受光面侧电极；和

在所述半导体衬底的另一面侧形成了的背面侧电极，

所述杂质扩散层包含：为受光区域且以第1浓度含有所述杂质元素的第1杂质扩散层、和为所述受光面侧电极的下部区域且以比所述第1浓度高的第2浓度含有所述杂质元素的第2杂质扩散层，

所述第1杂质扩散层和所述第2杂质扩散层的表面形成均匀的表面状态，

所述第2杂质扩散层上的所述钝化膜的膜厚比所述第1杂质扩散层上的所述钝化膜的膜厚薄。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第2杂质扩散层在所述半导体衬底的面方向具有沿着所述受光面侧电极的形状的形状，短边方向的长度为0.1mm以上且4mm以下。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，

所述半导体衬底为硅衬底。

4.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序：在第1导电型的半导体衬底的一面侧通过热扩散法形成以第1浓度扩散有第2导电型的杂质元素的第1杂质扩散层、和以所述第2导电型的杂质元素的氧化物为主要成分覆盖所述第1杂质扩散层上的杂质元素氧化膜；

第2工序，对所述第1杂质扩散层的受光面侧电极的形成区域进行激光照射而局部加热，由此选择性地形成以比所述第1浓度高的第2浓度含有所述杂质元素的第2杂质扩散层；

第3工序，通过水蒸气氧化或热解氧化而氧化所述半导体衬底的一面侧，由此在所述第1杂质扩散层上和所述第2杂质扩散层上以不同的膜厚形成由所述半导体衬底的材料的氧化膜构成的钝化膜；

第4工序，在所述钝化膜上的所述第2杂质扩散层上的区域形成受光面侧电极；

第5工序，在所述半导体衬底的另一面侧形成背面侧电极。

5.如权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

水蒸气氧化或热解氧化下的处理温度为850℃以下。

6.如权利要求4或5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序之后，不除去所述杂质元素氧化膜而进行所述第2工序，

在所述第2工序之后，除去所述杂质元素氧化膜。

7.如权利要求4或5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序之后，除去了所述杂质元素氧化膜后进行所述第2工序。

8.如权利要求4～7的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述第2工序中，通过对所述第1杂质扩散层的至少2个以上的区域进行激光照射而局部加热，形成对准区域，

在所述第3工序中，在所述对准区域上形成与所述第1杂质扩散层上不同的膜厚的所述钝化膜，

在所述第4工序中，使用所述对准区域进行对位而形成所述受光面侧电极。

9.如权利要求4～8的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述半导体衬底为硅衬底。

10.一种太阳能电池组件，其特征在于，

将权利要求1～3的任一项所述的太阳能电池的至少2个以上电气串联或并联地连接而成。