[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够容易地构成复杂的功率半导体电路的半导体装置。

背景技术

功率IGBT的通常的驱动电路，是将2in1构造等IGBT和FWD搭载于上桥臂侧和下桥臂侧的桥构造。但是，不使用稀土类磁体等的SR电动机的驱动电路等无法适用通常的半桥电路的驱动电路也在日益实用化(例如，参照专利文献1)。另外，提出了下述技术，即，将附设有电气电路的组块部件配置于设置为网格状的划分部件之间，从而构成半导体电路(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开平11-191995号公报

专利文献2：日本特开2005-260018号公报

发明内容

在组合多个半导体模块而构成如专利文献1所述的不普通的复杂的功率半导体电路的情况下，半导体模块间的连接变得复杂。另外，在专利文献2的技术中，以内置干电池等低压的电源为前提，由于没有考虑与外部的高电压电源的连接，因此无法应用于功率半导体电路。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的是得到一种能够容易地构成复杂的功率半导体电路的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：网格状的分隔部，其构成多个收容部；以及多个电路组块，它们在被收容于所述多个收容部的状态下，彼此电连接而构成功率半导体电路，所述多个电路组块至少包含半导体组块以及端子台组块，其中，所述半导体组块具有：半导体元件；绝缘体，其覆盖所述半导体元件；以及电极，其与所述半导体元件连接，并从所述绝缘体引出，所述端子台组块具有：电力端子，其与对所述半导体元件供给电力的外部的电力配线进行电连接；以及螺钉孔，其供用于固定所述电力配线的螺钉插入。

发明的效果

根据本发明，能够容易地构成复杂的功率半导体电路。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的功率半导体电路的电路图。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。

图3是沿着图2的I-II线的剖面图。

图4是表示对图3的装置进行组装的情况的剖面图。

图5是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖面图。

图6是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的剖面图。

图7是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体装置的剖面图。

图8是表示对图7的装置进行组装的情况的剖面图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置进行说明。有时对相同或者相对应的结构要素，标注相同的标号，省略重复的说明。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式所涉及的功率半导体电路的电路图。该电路是SR电动机用的驱动电路。驱动电路中，晶体管Tr1～Tr6分别与二极管D1～D6串联连接，它们与高电压的电源连接。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。该装置构成了图1的由虚线包围的电路。图3是沿图2的I-II线的剖面图。图4是表示对图3的装置进行组装的情况的剖面图。

网格状的分隔部1构成多个收容部2。冷却器3配置于分隔部1的下方。半导体组块4、端子台组块5以及母线条组块6等电路组块，在分别被收容于收容部2的状态下彼此电连接而构成功率半导体电路。电路组块的外形形成为与收容部2的网格尺寸一致的正方形。

半导体组块4是利用绝缘体8将IGBT 7(Insulated Gate Bipolar Transistor)覆盖而形成组块的。IGBT 7经由绝缘片10以及金属板11而安装于冷却体9上。IGBT 7的集电极经由金属板11与电极12连接，IGBT 7的发射极与电极13连接。电极12、13从绝缘体8内部引出至绝缘体8的侧面。

端子台组块5构成为在绝缘组块14上设置有电力端子15。对IGBT 7供给电力的外部的电力配线与该电力端子15电连接。另外，在绝缘组块14设置有螺钉孔16，该螺钉孔16供用于固定电力配线的螺钉插入。

母线条组块6利用绝缘体18将作为导体的母线条17覆盖而形成组块，使母线条17的两端引出至绝缘体18的侧面。这里虽然省略图示，但作为电路组块，也使用利用绝缘体将二极管覆盖而形成组块的结构、利用绝缘体将电容覆盖而形成组块的结构、利用绝缘体将电感元件覆盖而形成组块的结构。