[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体系太阳能电池，在第一导电类型的晶体系硅基板的表面形成有第二导电类型的半导体层，其中在该第一导电类型的晶体系硅基板的表面形成了具有大量金字塔状的凹凸部的纹理构造，该太阳能电池的特征在于，

在所述晶体系硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部的谷部具有平坦部，

所述金字塔状的凹凸部的谷部被所述平坦部包围以使得能够降低所述纹理构造的谷的形状所引起的特性劣化。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述金字塔状的凹凸部是在第一导电类型的晶体系硅基板的(100)表面重叠地配置金字塔状的凸部而构成的。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述金字塔状的凹凸部是规则地排列逆金字塔状的凹部而构成的。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，

所述晶体系硅基板是单晶硅基板。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第二导电类型的半导体层是非晶质或者微晶半导体层。

6.根据权利要求1～3中的任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，

所述凹凸部的谷部的平坦部的一边为600nm以下。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第二导电类型的半导体层是通过CVD法形成的非晶质或者微晶半导体层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，

所述第二导电类型的半导体层是通过杂质扩散形成的，

在所述第二导电类型的半导体层的表面形成了电介体层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，

所述电介体层由包含氮化硅、氧化硅和氧化铝中的至少一个的材料构成。

10.一种太阳能电池的制造方法，包括：

在第一导电类型的晶体系硅基板表面形成金字塔型的纹理构造的工序；以及

在所述晶体系硅基板表面形成第二导电类型的半导体层的工序，其特征在于，

形成所述纹理构造的工序包括：

第一工序，实施各向异性蚀刻，形成所述金字塔型的凹凸部；

第二工序，实施各向同性蚀刻，对所述金字塔型的凹凸部的角部附加倒角；以及

第三工序，实施各向异性蚀刻，在所述金字塔型的凹凸部的谷部形成平坦部。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述纹理构造的工序是

不形成抗蚀刻膜，而直接对第一导电类型的晶体系硅基板的(100)表面实施蚀刻，形成由重叠地配置了金字塔状的凸部构成的凹凸部的工序。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述纹理构造的工序包括：

在所述晶体系硅基板的表面，形成具有以一定间隔规则地排列的开口部的抗蚀刻膜的工序；

第一工序，将所述抗蚀刻膜作为掩模，实施各向异性蚀刻，形成多个逆金字塔型的凹凸部；

第二工序，实施各向同性蚀刻，对逆金字塔型的凹凸部的角部附加倒角；以及

第三工序，实施各向异性蚀刻，在所述逆金字塔型的凹凸部的谷部形成平坦部。

13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述晶体系硅基板是单晶硅基板。

14.根据权利要求10～12中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

形成所述第二导电类型的半导体层的工序是在具有所述纹理构造的基板表面形成非晶质或者微晶半导体层的工序。

15.根据权利要求10～12中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述第三工序是进行各向异性蚀刻以使所述凹凸部的谷部的平坦部的一边成为600nm以下的工序。

16.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述第二工序是将包含至少氢氟酸和硝酸的混合溶液用作蚀刻液的蚀刻工序，

所述第三工序是将碱性水溶液用作蚀刻液的蚀刻工序。