[发明专利]故障限流器有效
申请号: | 201280073911.6 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN104603902B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 约恩·帕特里克·霍奇;弗朗西斯·安东尼·达曼 | 申请(专利权)人: | ASG超导体股份公司 |
主分类号: | H01H73/00 | 分类号: | H01H73/00;H01H75/00;H01F29/14;H01F38/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 意大利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 故障 限流 | ||
1.一种故障限流器,包括:多个核心,每个所述核心包括借助于通过围绕所述核心的至少一个直流线圈产生的周围磁场朝向饱和磁性地偏置的伸长部分;以及多个交流线圈,每个所述交流线圈围绕各个所述核心的所述伸长部分,所述故障限流器进一步包括:
核心的伸长部分,在所述交流线圈的邻近区域中具有沿着所述核心的所述伸长部分的轴的可变截面,其中,所述磁场的强度沿着所述核心轴向变化,并且轴向的所述可变截面在所述磁场的较大强度的邻近区域中更大,所述核心包括与所述直流线圈相邻的第一区域中的放大的截面积、与所述直流线圈间隔开的第二区域中的减小的截面积以及所述核心的端部的第三区域中的放大的截面积,截面的所述变化辅助所述故障限流器的运行特性,并且优化所述可变截面以降低诱导所述核心饱和所需的围绕所述核心的周围磁场力度。
2.根据权利要求1所述的故障限流器,其中,所述可变截面提供所述核心的增加的饱和或减少使所述核心饱和或降低饱和所需的磁通量。
3.根据权利要求1所述的故障限流器,其中,通过永磁体产生所述磁场的一部分。
4.根据权利要求1所述的故障限流器,其中,两个间隔直流线圈围绕所述核心,并且所述核心包括在所述两个间隔直流线圈之间的区域中的减小的截面积。
5.根据权利要求1所述的故障限流器,其中,所述限流器每功率相位具有两个核心,并且每个核心彼此间隔开并且具有围绕每个相位的两个核心的直流线圈。
6.根据权利要求5所述的故障限流器,其中,所述核心具有D形截面。
7.根据权利要求5所述的故障限流器,其中,相位的数目为三,并且核心的数目为六,且所述核心以圆形方式布置。
8.根据权利要求1所述的故障限流器,其中,所述第三区域的放大截面由放置在所述核心的所述端部的单独核心块形成。
9.根据前述权利要求中任一项所述的故障限流器,其中,所述核心是由具有高导磁率的层压材料形成。
10.根据权利要求9所述的故障限流器,其中,所述高导磁率材料包括变压器钢。
11.根据权利要求5所述的故障限流器,其中,导电屏蔽被放置在所述核心和所述交流线圈周围。
12.一种改善故障限流器的操作的方法,所述故障限流器包括:多个核心,每个所述核心包括借助于通过围绕所述核心的至少一个直流线圈产生的周围磁场朝向饱和磁性地偏置的伸长部分;以及多个交流线圈,每个所述交流线圈围绕各个所述核心的所述伸长部分,所述方法包括以下步骤:
(a)确定沿着所述核心的轴的潜在磁场;以及
(b)改变在所述交流线圈的邻近区域中沿着所述核心的所述伸长部分的轴的截面积,使得所述核心包括与所述直流线圈相邻的第一区域中的放大的截面积、与所述直流线圈间隔开的第二区域中的减小的截面积以及所述核心的端部的第三区域中的放大的截面积,以增强所述故障限流器的运行特性,其中,优化所述截面的变化以降低诱导所述核心饱和所需的围绕所述核心的周围磁场力度。
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