[发明专利]多级单元存储器

权利要求书

1.一种多级单元存储器，包括：

存储器单元，其存储两个或更多信息位；

感测电路，其耦合到存储器单元，其中感测电路进行操作以从存储器单元读取；

行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器，其中感测电路将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且其中感测电路将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中行缓冲器在最低有效位/最高有效位方向上被拆分成两个逻辑页。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中来自存储器的第一物理行的逻辑页和来自存储器的第二物理行的逻辑页被持有在第一页缓冲器中。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中第一位是LSB位并且第二位是MSB位，并且其中LSB位被置于第一页缓冲器中并且MSB位被置于第二页缓冲器中。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中第一位是来自第一物理行的LSB位并且第二位是来自第二物理行的LSB位，并且其中第一LSB位和第二LSB位被置于相同的页缓冲器中。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中第一和第二位被映射到分离的逻辑页。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中用于存储器单元的两个锁存器之一与用于存储器的其它存储器单元的两个锁存器之一相群组以形成第一页缓冲器并且用于存储器单元的两个锁存器中的另一个与用于其它存储器单元的两个锁存器中的另一个相群组以形成第二页缓冲器。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中行缓冲器结构还包括：

行缓冲器输入复用器，其用于选择第一位和第二位之一以存储在分页缓冲器中；

行缓冲器输出复用器，其用于选择第一页缓冲器和第二页缓冲器之一；以及

页缓冲器选择信号，其确定输入和输出缓冲器的操作。

9.一种多级单元存储器，包括：

多个多级单元，每个单元持有多个信息位；

行缓冲器，其耦合到所述单元，包括：

第一页缓冲器，其锁存来自多个多级单元中每一个的第一信息位，以及

多个附加页缓冲器，附加页缓冲器中的每一个锁存来自多个多级单元中每一个的附加信息位之一；

外围电路，其选择第一页缓冲器和附加页缓冲器之一来锁存信息位;以及

感测电路，其耦合到多个多级单元中的每一个，其中感测电路进行操作以从多个多级单元读取并且把所读取的信息位放置在所选择的页缓冲器。

10.根据权利要求9所述的多级单元存储器，其中外围电路包括复用器，其耦合到第一页缓冲器的锁存器以及附加页缓冲器中每一个的锁存器，存储器还包括存储器控制器，其中存储器控制器包括页缓冲器选择信号电路，其指定要选择哪个锁存器；并且其中页缓冲器持有来自多级单元存储器的不同行的信息位。

11.一种用于缓冲多级单元存储器的方法，包括：

接收针对所请求的存储器行的访问请求，其中存储器包括行缓冲器，并且行缓冲器包括第一页缓冲器和第二页缓冲器；

确定是否发生行缓冲器命中；并且

如果发生行缓冲器命中，则完成访问请求；

其中当访问是MSB写请求并且没有发生行缓冲器命中时，所述方法还包括：

确定行缓冲器的现有内容是否是脏的，其中：

如果现有行缓冲器内容不是脏的，则所述方法包括将所请求行的LSB和MSB读到行缓冲器中，并且其中：

如果现有行缓冲器内容是脏的，则所述方法包括：

将现有行缓冲器内容写至存储器阵列；以及

将所请求行的LSB和MSB读到行缓冲器中。