[发明专利]基板复合物、用于结合基板的方法和装置在审
申请号: | 201280075065.1 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN104641462A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 埃里希·塔尔纳 | 申请(专利权)人: | 埃里希·塔尔纳 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈浩然;宣力伟 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合物 用于 结合 方法 装置 | ||
1. 一种用于结合第一基板(1)与第二基板(7)的方法,带有以下步骤,尤其以下过程:
-使所述第一基板(1)的第一接触面(1k)与所述第二基板(7)的平行于所述第一接触面(1k)取向的第二接触面(18k)接触,由此形成共同的接触面(22),
-在所述第一基板(1)与所述第二基板(7)之间在所述共同的接触面(22)之外建立尤其点状的材料配合的连接。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述材料配合的连接在所述第一基板(1)处至少部分地优选主要地构造在所述第一基板(1)的相对于所述共同的接触面(22)成角度的第一固定面(1f)处,和/或在所述第二基板(7)处至少部分地优选主要地构造在所述第二基板(7)的相对于所述共同的接触面(22)成角度的第二固定面(18f)处。
3. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一固定面(1f)和/或所述第二固定面(18f)布置成关于所述第一基板(1)或第二基板(7)的旋转轴线旋转对称。
4. 根据上述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,为了形成所述材料配合的连接,使用粘结剂(19)和/或尤其金属的连接元件(11)。
5. 根据上述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,在所述第一固定面(1f)与所述第一接触面(1k)之间的第一面积比小于1:5,尤其小于1:10,优选小于1:20,和/或在所述第二固定面(18f)与所述第二接触面(18k)之间的第二面积比小于1:5,尤其小于1:10,优选小于1:20。
6. 根据上述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,尤其构造为产品晶片的所述第二基板(7)尤其在使所述第一接触面和第二接触面(1k,18k)接触之前设有中间层(18)以用于整平设置在所述第二基板(7)的上侧(7o)上的焊料球(15)。
7. 一种基板复合物,其包含第一基板(1)和第二基板(7),在其中,所述第一基板(1)的第一接触面(1k)与所述第二基板(7)的平行于所述第一接触面(1k)取向的第二接触面(18k)形成共同的接触面(22),其中,在所述共同的接触面(22)之外在所述第一基板(1)与所述第二基板(7)之间存在尤其点状的材料配合的连接。
8. 根据权利要求7所述的基板复合物,其特征在于,所述材料配合的连接在所述第一基板(1)处至少部分地优选主要地构造在所述第一基板(1)的相对于所述共同的接触面成角度的第一固定面(1f)处,和/或在所述第二基板(7)处至少部分地优选主要地构造在所述第二基板(7)的相对于所述共同的接触面成角度的第二固定面(18f)处。
9. 根据权利要求7或8所述的基板复合物,其特征在于,所述第一固定面(1f)和/或所述第二固定面(18f)布置成关于所述第一基板(1)或第二基板(7)的旋转轴线旋转对称。
10. 根据权利要求7至9中至少一项所述的基板复合物,其特征在于,所述材料配合的连接包括粘结剂和/或尤其金属的连接元件(11)。
11. 根据权利要求7至10中至少一项所述的基板复合物,其特征在于,在所述第一固定面(1f)与所述第一接触面(1k)之间的第一面积比小于1:5,尤其小于1:10,优选小于1:20,和/或在所述第二固定面(18f)与所述第二接触面(18k)之间的第二面积比小于1:5,尤其小于1:10,优选小于1:20。
12. 根据权利要求7至11中至少一项所述的基板复合物,其特征在于,尤其构造为产品晶片的所述第二基板(7)具有中间层(18)以用于整平设置在所述第二基板(7)的上侧(7o)上的焊料球(15)。
13. 根据权利要求7至12中至少一项所述的基板复合物,其特征在于,所述第二基板(7)的第二外轮廓(7a)在接触时尤其等距地超过所述第一基板(1)的第一外轮廓(1a)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造