[发明专利]第III族氮化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体器件的制造方法，所述方法包括：

在生长用基板上形成通过将第一导电型第III族氮化物半导体层、活性层和第二导电型第III族氮化物半导体层依次堆叠而获得的半导体结构部的第一步骤；

通过将所述第二导电型第III族氮化物半导体层和所述活性层部分地除去而部分地露出所述第一导电型第III族氮化物半导体层的第二步骤；

将第一接触层形成在所述第一导电型第III族氮化物半导体层的露出部上并且将第二接触层形成在所述第二导电型第III族氮化物半导体层的露出部上的第三步骤；

将绝缘层形成在露出的所述半导体结构部、所述第一接触层和所述第二接触层上的第四步骤，其中所述第一接触层的一部分和所述第二接触层的一部分露出；

将由绝缘体制成的第一结构物形成在所述绝缘层的一部分上横断露出表面，因此通过所述第一结构物，将所述露出表面分为具有所述第一接触层的露出部的第一露出表面和具有所述第二接触层的露出部的第二露出表面的第五步骤；

从所述第一和第二露出表面各自生长镀覆层，因此将与所述第一接触层的露出部接触的用作第一电极的第一支持体形成在所述第一露出表面上，并且将与所述第二接触层的露出部接触的用作第二电极的第二支持体形成在所述第二露出表面上的第六步骤；和

将所述生长用基板使用剥离法来分离的第七步骤，因此制造了具有由包括所述第一和第二支持体和所述第一结构物的支承体来支承的所述半导体结构部的第III族氮化物半导体器件。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中在所述第二步骤中，将所述第一导电型第III族氮化物半导体层的露出部形成在所述半导体结构部中的多个位置，并且在所述第三步骤中，所述第一接触层形成在多个位置。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中所述第六步骤包括：

将所述第一支持体的第一层形成在所述第一露出表面上并且将所述第二支持体的第一层通过镀覆在所述第二露出表面上生长的第一镀覆步骤；

将由绝缘体制成并且连结至所述第一结构物的第二结构物形成在所述第一支持体的第一层上的步骤；和

分别通过镀覆从露出的所述第一支持体的第一层和所述第二支持体的第一层生长所述第一支持体的第二层和所述第二支持体的第二层的第二镀覆步骤，其中在所述第一镀覆步骤之后，所述第二支持体的第二层的上表面面积大于所述第二支持体的第一层的上表面面积。

4.一种第III族氮化物半导体器件，其包括：

各自依次具有第一导电型第III族氮化物半导体层、活性层和第二导电型第III族氮化物半导体层的半导体结构部；

在贯通所述第二导电型第III族氮化物半导体层和所述活性层的凹部的底部设置在所述第一导电型第III族氮化物半导体层上的第一接触层；

设置在所述第二导电型第III族氮化物半导体层上的第二接触层；

设置在所述第一接触层的一部分、所述第二接触层的一部分、和位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的所述半导体结构部上的，用于所述第一接触层和所述第二接触层之间绝缘的绝缘层，和；

在所述绝缘层上的，与所述第一接触层部分地接触而用作第一电极的单一的第一支持体、与所述第二接触层部分地接触而用作第二电极的单一的第二支持体、和位于邻接的所述第一和第二支持体之间的由绝缘体制成的结构物，其中所述第一和第二支持体和所述结构物构成用于支承所述半导体结构部的支承体。

5.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体器件，其中所述半导体结构部在多个位置具有凹部，并且所述第一接触层设置在多个位置。

6.根据权利要求5所述的第III族氮化物半导体器件，其中所述第一和第二支持体各自包括设置在所述绝缘层上的第一层和设置在所述第一层上的第二层，

所述结构物包括位于所述第一和第二支持体的第一层之间的第一结构物，和连结至所述第一结构物并且位于所述第一和第二支持体的第二层之间的第二结构物，和

所述第二支持体的第二层的上表面面积大于所述第二支持体的第一层的上表面面积。