[发明专利]半导体器件和使用它的电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

直流电源；

基准电位；

第一和第二臂电路，其在所述基准电位与所述直流电源之间串联连接；和

负载电感器，其连接至所述第一臂电路与所述第二臂电路的连接点，

所述第一臂电路包括第一开关元件和与所述第一开关元件的电流通路并联连接的多个第一二极管，

所述第二臂电路包括第二开关元件和与所述第二开关元件的电流通路并联连接的多个第二二极管，

所述第一二极管和第二二极管以从基准电位向直流电源去的方向为正方向，

所述第一二极管和第二二极管都是Si二极管或者都是SiC二极管，

所述第一二极管的电极设置有凹凸结构，

连接在多个所述第一二极管与所述直流电源的输出端子之间的多个所述第一二极管的电极各自的表面的距离分别不同。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述凹凸结构设置在连结所述直流电源的输出端子和所述第一二极管的输入端子的线上。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二二极管的电极也设置有凹凸结构。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

令一方的所述第一二极管中流过的电流的频率为f₁、另一方的所述第一二极管中流过的电流的频率为f₂时，所述f₁与f₂的关系是f₁＝n·f₂，其中，n≠整数。

5.一种电力转换器，其特征在于：

在权利要求1的半导体器件中，

还包括第一电极和第二电极，

所述第一电极与所述第二电极相对地配置，

所述第一开关元件、第二开关元件和所述第一二极管、第二二极管配置在所述第一电极与所述第二电极之间，

所述第一电极或所述第二电极设置有凹凸结构。