[发明专利]电子零件用金属材料及其制造方法

权利要求书

1.电子零件用金属材料，其具有低晶须性及高耐久性，且具备基材、A层、及B层，

所述A层构成所述基材的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成；

所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成；

所述最表层（A层）的厚度厚于0.2 μm，

所述中层（B层）的厚度为0.001 μm以上。

2.电子零件用金属材料，其具有低晶须性及高耐久性，且具备基材、A层、及B层，

所述A层构成所述基材的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成；

所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成；

所述最表层（A层）的Sn、In的附着量多于150 μg/cm²，

所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附着量为1 μg/cm²以上。

3.如权利要求1或2所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层）的合金组成为Sn、In或Sn与In的合计为50质量%以上，其余合金成分由选自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W、Zn所组成的组中的1种或2种以上的金属构成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述中层（B层）的合金组成为Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir，或Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir的合计为50质量%以上，其余合金成分由选自Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl、Zn所组成的组中的1种或2种以上的金属构成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层）表面的算术平均高度（Ra）为0.1 μm以下，其耐气体腐蚀性更优异。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层）表面的最大高度（Rz）为1 μm以下，其耐气体腐蚀性更优异。

7.如权利要求1～6中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，所述最表层（A层）表面的反射浓度为0.3以上，其耐气体腐蚀性更优异。

8.如权利要求1～7中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，在通过XPS（X射线光电子光谱）进行Depth分析时，显示所述最表层（A层）的Sn或In的原子浓度（at%）最高值的位置（D₁）、显示所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度（at%）最高值的位置（D₂）是从最表面起以D₁、D₂的顺序存在。

9.如权利要求1～8中任一项所述的电子零件用金属材料，其中，在通过XPS（X射线光电子光谱）进行Depth分析时，所述中层（B层）的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度（at%）最高值为10 at%以上。

10.如权利要求1～9中任一项所述的电子零件用金属材料，其还具备C层，所述C层设置在所述基材与B层之间而构成下层，且由选自Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu所组成的组中的1种或2种以上而形成。

11.如权利要求10所述的电子零件用金属材料，其中，下层（C层）的合金组成中Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合计为50质量%以上，且还包含选自由B、P、Sn、Zn所组成的组中的1种或2种以上。