[发明专利]使用氧离子注入法形成太阳能电池中的间隔物

说明书

技术领域

本文所述的主题的实施例总体上涉及太阳能电池，并且更具体地但不仅限于涉及太阳能电池结构。

背景技术

太阳能电池是熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。它们可以在半导体晶片上利用半导体加工技术制成。一般来讲，可通过在硅基板中形成n型扩散区和p型扩散区来制造太阳能电池。撞击在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子空穴对，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触式太阳能电池中，扩散区和与其耦接的金属格栅均位于太阳能电池的背面上。金属格栅允许将外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。

效率是太阳能电池的重要特性，因为其直接关系到太阳能电池的发电能力。因此，用于提高太阳能电池效率的技术通常是所需的。本发明的实施例将被本领域的技术人员认为是与常规太阳能电池相比在效率和制造成本两个方面实现优势的改进型背接触式电池结构。

在一个实施例中，太阳能电池具有形成在背面上的基极扩散区和发射极扩散区。发射极扩散区被配置为在太阳能电池中收集少数载流子，而基极扩散区被配置为收集多数载流子。基极扩散区可为分隔发射极扩散区的连续区。发射极扩散区中的每个可进一步由从发射极扩散区的边缘延伸的间隔区来与连续基极扩散区分隔。此间隔区可为高电阻区，其减少在基极扩散区与发射极扩散区的接点处的空间电荷复合损失，从而增大太阳能电池效率。

提供本发明内容的目的是以简要形式介绍一系列概念，这些概念将在以下具体实施方式中进一步描述。本发明内容并非意图辨识要求保护的主题的关键特征或本质特征，也非意图在确定要求保护的主题的范围中用作帮助。

附图说明

当结合以下附图考虑时，通过参见具体实施方式和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。

图1至图9示出根据本发明第一实施例的用于形成背接触式太阳能电池的工艺，所述太阳能电池具有硅晶片，所述硅晶片具有注氧区；

图10的流程图示出用于形成背接触式太阳能电池的工艺，所述太阳能电池具有硅晶片，所述硅晶片具有注氧区；

图11至图20示出根据本发明另一个实施例的用于形成背接触式太阳能电池的另一种工艺，所述太阳能电池具有硅基板，所述硅基板具有离子注入电阻区；

图21的流程图示出用于形成背接触式太阳能电池的工艺，所述太阳能电池具有硅基板，所述硅基板具有离子注入电阻区；

图22至图27示出在多晶硅层中具有电阻间隔区的太阳能电池的另一个实施例；

图28的流程图示出根据图22至27的实施例的用于形成具有电阻间隔区的太阳能电池的工艺；

图29至图33示出具有电阻间隔区的太阳能电池的另一个实施例；以及

图34的流程图示出根据图29至33的实施例的用于形成具有电阻间隔区的太阳能电池的工艺。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。提供了许多具体细节，诸如结构和制造步骤的例子，以提供对本发明实施例的全面理解。然而，本领域的技术人员将会认识到，本发明可在没有所述具体细节中的一者或多者的情况下实施。在其他情况下，未示出或描述为人们所熟知的细节，以避免使本发明的方面模糊不清。所述论述将参考附图中所示的部件，这些部件未按比例绘制。某些部件将被夸大以示出较广泛的概念，而并不代表相对于其他部件的比例。

“耦接”-在以下描述中是指“耦接”在一起的元件或部件。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”是指一个元件/节点/结构直接或间接连接至另一个元件/节点/结构(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。电连接或电传导是本文所述的元件或部件之间的一类耦接。因此，尽管附图所示的示意图描绘了示例性的元件布置方式，但所述主题的实施例中可以存在另外的居间元件、装置、部件或组件。

“调整”-一些元件、组件和/或部件被描述为是可调整的或调整过的。如本文所用，除非另外明确指明，否则“调整”是指定位、修改、更改或安置元件或组件或它们的一部分以适于境况和实施例。在某些情况下，如果对某些情况下的实施例而言是合适的或所期望的，那么作为调整的结果，元件或组件或它们的一部分可以保持于未改变的位置、状态和/或状况。在一些情况下，如果合适或需要，那么作为调整的结果，元件或组件可以被更改、改变或修改为新的位置、状态和/或状况。