[发明专利]电子负载模块和方法及其系统在审
申请号: | 201280077731.5 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN104871020A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | K-A·雷姆纳斯;P·福斯伯格;B·艾萨克森;L·罗森;S·萨米米 | 申请(专利权)人: | 瑞典爱立信有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子负载 模块 方法 及其 系统 | ||
1.一种用于操作电子负载模块(200)的方法(300),其中所述电子负载模块包括:
数字控制电路(201),被配置为经由数据总线连接器(202)连接至功率控制器;
有源负载(203),可操作地连接至所述数字控制电路(201)并且由所述数字控制电路(201)控制;
第一输入(204),可操作地连接至所述有源负载(203)并且被配置为连接至待测设备;
其中所述方法包括:
经由所述数据总线连接器(202)从可连接的所述功率控制器接收控制数据(301);
基于所接收的控制数据控制(302)所述有源负载(203),以经由所述第一输入(204)减小来自可连接的所述待测设备的限定电流;
以及其中所述方法的特征在于:
利用所述数字控制电路(201)和可连接的所述功率控制器基于所接收的控制数据控制(303)所述有源负载(203),以产生并且维持所述待测设备的环境温度。
2.根据权利要求1所述的方法(300),其中所述电子负载模块(200)包括第二输入(400),所述第二输入连接至所述有源负载(203)并且被配置为连接至外部电源,其中所述有源负载(203)被配置为由所述数字控制电路(201)控制,以选择用于接收电能的所述第一输入(204)或所述第二输入(400),其中所述方法进一步包括:
基于所接收的控制数据控制所述有源负载(203)以接收来自所述第二输入(400)的电能,使得所述有源负载(203)利用可连接的所述外部电源产生热。
3.根据权利要求1所述的方法(300),其中所述电子负载模块(200)进一步包括计算机接口(401),所述计算机接口连接至所述数字控制电路(201)并且被配置为连接至外部计算机,其中所述方法进一步包括经由所述计算机接口(401)利用所述外部计算机对所述数字控制电路(201)进行重新编程。
4.一种电子负载模块(200),包括:
数字控制电路(201),被配置为经由数据总线连接器(202)连接至功率控制器;
有源负载(203),可操作地连接至所述数字控制电路(201)并且由所述数字控制电路(201)控制;
第一输入(204),可操作地连接至所述有源负载(203)并且被配置为连接至待测设备;
其中所述数字控制电路(201)被配置为经由所述数据总线连接器(202)从可连接的所述功率控制器接收控制数据;所述数字控制电路(201)进一步被配置为控制所述有源负载(203),以经由所述第一输入(204)减小来自所述待测设备的限定电流,其中所述电子负载模块(200)的特征在于:
所述有源负载(203)被配置为由所述数字控制电路(201)控制,以产生并且维持可连接的所述待测设备的环境温度。
5.根据权利要求4所述的电子负载模块(200),包括第二输入(400),所述第二输入连接至所述有源负载(203)的选择器电路(501)并且被配置为连接至外部电源,其中所述选择器电路(501)被配置为可选择地将来自可连接的所述待测设备或者可连接的所述外部电源的电能提供至所述有源负载(203)。
6.根据权利要求5所述的电子负载模块(200),其中所述有源负载(203)包括:
所述选择器电路(501),连接至所述第一输入(204)和所述第二输入(400);
MOSFET晶体管(T1),具有连接至所述选择器电路(501)的输出的漏极以及经由第一电阻器(R1)连接至接地电势的源极;
运算放大器(OP1),具有连接至缓冲放大器(A1)的输出的非反相输入,所述缓冲放大器(A1)的输入被配置为经由控制输入(503)连接至所述数字控制电路(201),所述运算放大器(OP1)的反相输入经由第二电阻器(R2)连接至所述MOSFET晶体管的源极,形成反馈回路,以及所述运算放大器(OP1)的输出经由包含第三电阻器(R3)和第一电容器(C1)的分支连接至所述运算放大器(OP1)的反相输入,所述运算放大器(OP1)的输出进一步连接至所述MOSFET晶体管(T1)的栅极;
其中由所述数字控制电路(201)控制经过所述MOSFET晶体管(T1)的电流,并且通过控制所述选择器电路(501)使得可连接的所述外部电源被选择以将电能提供至所述MOSFET晶体管,用于产生热。
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