[其他]微测辐射热计及焦平面阵列

权利要求书

1.一种微测辐射热计，包括： 

底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率； 

位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及 

位于探测器层之上的顶部电介质。 

2.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，底部多层电介质包括位于第一氮氧化硅层之下的第一氮化硅层。 

3.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。 

4.如权利要求2所述的微测辐射热计， 

其特征在于，第一氮化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率， 

其中，第一氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及 

其中，第二氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率。 

5.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，探测器层由氧化钒组成并且厚度在大约300埃和大约800埃之间。 

6.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，顶部电介质是顶部多层电介质，该顶部多层电介质包括： 

位于探测器层之上的第三氮氧化硅层； 

位于第三氮氧化硅层之上的第四氮氧化硅层；及 

位于第四氮氧化硅层之上的第二氮化硅层； 

7.如权利要求6所述的微测辐射热计，其特征在于，第三氮氧化硅层和第四氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。 

8.如权利要求6所述的微测辐射热计， 

其特征在于，第三氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率， 

其中，第四氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及 

其中，第二氮化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。 

9.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。 

10.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，探测器层由氧化钒组成并且厚度在大约300埃和大约800埃之间。 

11.如权利要求1所述的微测辐射热计， 

其特征在于，第一氮氧化硅层具有大约200埃和大约1500埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率，及 

其中，第二氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率。 

12.如权利要求11所述的微测辐射热计，其特征在于，顶部电介质包括位于探测器层之上的氮化硅层，该氮化硅层具有大约800埃和大约1800埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。 

13.一种焦平面阵列，包括： 

读出电路（ROIC）；及 

电耦接至ROIC的多个微测辐射热计，每个微测辐射热计包括： 

底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率； 

位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及 

位于探测器层之上的顶部电介质。 

14.如权利要求13所述的焦平面阵列，其特征在于，每个微测辐射热计经由布置在相邻微测辐射热计之间的接触支腿电耦接至ROIC。 

15.如权利要求14所述的焦平面阵列，其特征在于，至少一个接触支腿是布置在相邻微辐射热测定仪之间的共享接触支腿。 

16.如权利要求13所述的焦平面阵列，还包括耦接至ROIC的用于处理从ROIC输出的图像信息的处理器以及耦接至处理器的用于显示处理过的图像信息的显示器。