[其他]振动元件、振子、电子器件以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201290000764.5 申请日: 2012-08-20
公开(公告)号: CN203747763U 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 石井修;森田孝夫 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19;H03B5/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 振动 元件 电子器件 以及 电子设备
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及以厚度剪切振动模式进行振动的振子,尤其涉及具有所谓的倒台面型结构的振动元件、振子、电子器件以及使用了振子的电子设备。 

背景技术

关于AT切石英振子,激励出的主振动的振动模式是厚度剪切振动,适于小型化、高频化,并且呈现出频率温度特性优异的三次曲线,因此在压电振荡器、电子设备等多个方面得到利用。 

专利文献1中公开了在主面的一部分形成凹陷部从而实现了高频化的所谓的倒台面结构的AT切石英振子。使用了石英基板的Z’轴方向的长度比X轴方向的长度长的所谓Z’较长(long)基板。 

在专利文献2中公开了具有以下构造的倒台面结构的AT切石英振子:在矩形的薄壁的振动部的三边分别连接设置有厚壁的支承部,所述薄壁的振动部的一边露出。并且,石英振动片是使AT切石英基板的X轴和Z’轴分别以Y’轴为中心在-120°~+60°的范围内旋转而成的面内旋转AT切石英基板,是确保振动区域且批量生产性优异的(多件同时加工)结构。 

在专利文献3、4中公开了具有以下构造的倒台面结构的AT切石英振子:在矩形的薄壁的振动部的三边分别连接设置有厚壁的支承部,所述薄壁的振动部的一边露出,石英振动片使用了石英基板的X轴方向的长度比Z’轴方向的长度长的所谓的X较长基板。 

在专利文献5中公开了具有以下构造的倒台面结构的AT切石英振子:在矩形的薄壁的振动部的相邻的两边分别连接设置有厚壁的支承部,将厚壁部设置成在平面图中呈L字状,所述薄壁的振动部的两边露出。石英基板使用了Z’较长基板。 

但是,在专利文献5中,为了得到L字状的厚壁部,如专利文献5的图1(c)、(d)所记载那样,沿着线段α和线段β去除了厚壁部,该去除是以通过切割等机械 加工进行去除为前提,因此存在以下问题:切断面受到切削(chipping)或裂纹等损伤,从而超薄部破损。此外,产生这样的问题:振动区域中由于寄生引起不必要振动、CI值的增加等。 

在专利文献6中公开了具有以下构造的倒台面结构的AT切石英振子:仅在薄壁的振动部的一边连接设置有厚壁的支承部,所述薄壁的振动部的三边露出。 

在专利文献7中公开了如下的倒台面结构的AT切振子:通过以在石英基板的两主面即正反面相对的方式形成凹陷部,实现了高频化。提出了如下结构:石英基板采用X较长基板,在确保了形成于凹陷部的振动区域的平坦性的区域中设置激励电极。 

另外,对于在AT切石英振子的振动区域中激励出的厚度剪切振动模式,公知有振动位移分布由于弹性常数的各向异性而变为在X轴方向上具有长径的椭圆状。在专利文献8中公开了在压电基板的正反两面具有正反对称配置的一对环状电极的激励出厚度剪切振动的压电振子。以环状电极仅激励出对称零次模式、而基本不激励出除此以外的非谐高次模式的方式,设定环状电极的外周直径与内周直径之差。 

在专利文献9中公开了将压电基板、以及在压电基板的正反设置的激励电极的形状均设为椭圆形状的压电振子。 

在专利文献10中公开了如下的石英振子:将石英基板的长度方向(X轴方向)的两端部、以及电极的X轴方向的两端部的形状均设为半椭圆状,且将椭圆的长轴与短轴之比(长轴/短轴)设为大约1.26。 

在专利文献11中公开了在椭圆的石英基板上形成椭圆的激励电极的石英振子。长轴与短轴之比优选为1.26:1,但考虑到制造尺寸的偏差等时,1.14~1.39:1的范围程度比较实用。 

在专利文献12中公开了如下结构的压电振子:在振动部与支承部之间设置了缺口或狭缝,以进一步改善厚度剪切压电振子的能量封闭效果。 

但是,在实现压电振子的小型化时,由于粘接剂引起的残留应力,有时会产生电气特性的劣化和频率老化特性的不良。在专利文献13中公开了在矩形平板状的AT切石英振子的振动部与支承部之间设置了缺口或狭缝的石英振子。通过使用这种结构,能够抑制残留应力扩展到振动区域。 

在专利文献14中公开了如下振子:在倒台面型压电振子的振动部与支承部之间设置了缺口或狭缝,以改善(缓和)装配形变(应力)。在专利文献15中公开了如下 的压电振子:通过在倒台面型压电振子的支承部中设置狭缝(贯通孔),确保了正反面的电极导通。 

在专利文献16中公开了如下的石英振子:通过在厚度剪切振动模式的AT切石英振子的支承部中设置狭缝,抑制了高次轮廓系的不必要模式。 

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