[其他]用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环

说明书

技术领域

本案的实施例总体涉及基板处理设备。 

背景技术

基板处理系统(如等离子体反应器)可用于在基板上沉积、蚀刻或形成层，或是以其它方式处理基板的表面。一个可用于控制这样的基板处理的各态样的技术使用射频(RF)能量来控制基板附近的等离子体，例如藉由将RF能量耦合到基板下方的电极，该基板位于基板支撑件上。 

发明人在本文中提供了基板处理系统的实施例，该等基板处理系统可提供对基板处理系统的改进的RF能量控制以及对在晶圆边缘附近的等离子体鞘层的灵活控制。 

实用新型内容

本文中提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度；以及多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。 

在一些实施例中，一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约11.752英寸至约11.757英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.510英寸至约0.520英寸的厚度；形成于该环形主体中且介于该外缘与该内缘之间的该第一步阶及该第二步阶，其中该第一步阶具有约12.077英寸至约12.087英寸的外径，及其中该第二步阶具有约11.884英寸至约11.889英寸的外径；以及从该环形主体的该底部在该环形主体的该外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。 

在一些实施例中，一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约12.245英寸至约12.250英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.520英寸至约0.530英寸的厚度；多个对称地位于该环形主体之该内缘周围的凸部，该多个凸部从该内缘往该环形主体的中心向内延伸；以及从该环形主体的该底部在该主体的该外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。 

以下描述本实用新型的其它与进一步的实施例。 

附图说明

藉由参照本申请案绘示于随附图示中的说明性实施例，可以了解本申请案于以上概述并于以下更加详细讨论的实施例。然而，应注意的是，附图仅说明本申请案的典型实施例，因此不应将该等附图视为限制本申请的范围，因本申请可认可其它等同有效的实施例。 

图1绘示依据本实用新型的一些实施例的等离子体反应器的示意图。 

图2绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的示意图。 

图3绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的部分示意图。 

图4绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的部分示意图。 

图5A与图5B分别绘示依据本实用新型的一些实施例的用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图与侧剖视图。 

图6A至图6C分别绘示依据本实用新型的一些实施例的用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图以及侧剖视图细节。 

图7A至图7E分别绘示依据本实用新型的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图、侧剖视图细节、俯视图细节以及顶部细节的侧剖视图。 

为了便于理解，已在可能处使用相同的组件符号来指称对于图式为相同的组件。这些图式不按比例绘制，并且为了清楚起见可以被简化。亦考虑到可以将一个实施例的组件与特征有益地集成于其它实施例中而无需进一步详述。 

具体实施方式

本文中揭示处理基板的方法及装置。本实用新型的方法及装置与现有的等离子体处理装置相比可以有利地便于更均匀地等离子体处理基板。例如，本申请案的实施例可以减少在基板边缘的边缘卷离或边缘卷起，从而提供更均匀的基板。本案申请人已经观察到边缘卷离或边缘卷起的原因除了其它的因素的外可能是由于基板边缘附近的RF功率耦合中有不连续。本实用新型的方法及装置通过提供电极或提供一或多个额外的电极来改善基板边缘附近的RF功率耦合以解决基板边缘处的不连续问题。