[发明专利]制作亚波长抗反射结构和亚波长抗反射结构压模的方法

权利要求书

1.一种亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：包括步骤

a）利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法，在单面抛光的基片上沉积一层金属层；

b）将沉积有金属层的基片进行快速退火处理，经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子，该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布，且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围；

c）以所述纳米金属粒子为掩模，对所述基片进行干法刻蚀，将将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上，在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构；

d）清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净之后，获得所述亚波长抗反射结构。

2.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：所述化学氧化还原沉积金属层的方法为银镜反应，该银镜反应包括步骤：

以硝酸银：氢氧化钠：水=1:0.5:1000的质量比制备第一溶液；

对上述第一溶液滴上适量氢氧化氨溶剂，直至该第一溶液变清晰透明为止，形成第二溶液；

以葡萄糖：水=1:1000的质量比制备第三溶液；

将所述第二溶液和第三溶液按1：1比例混合进行反应，形成金属银沉积。

3.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：所述基片可以是硅片、石英片或者氮化镓片中的一种，当该基片为硅片时，还可以为p型或n型掺杂的硅片。

4.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：所述快速退火处理是在惰性气体环境快速高温加热到金属层的退火点温度，加热时间为1~2分钟。

5.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：所述纳米金属粒子的直径在30~300nm范围随机分布。

6.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：所述的干法刻蚀工艺为反应离子刻蚀或者反应耦合等离子体刻蚀刻蚀工艺的其中一种，刻蚀深度在300~500nm之间。

7.如权利要求1所述的亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：在所述步骤d）之后，还包括对所述亚波长抗反射结构进行优化处理，所述优化处理为：利用各项异性刻蚀方法对所述基片上的非周期亚波长光栅结构进行刻蚀，使该非周期亚波长光栅结构的脊部呈现锥状。

8.一种亚波长抗反射结构压模的制备方法，其特征在于：

a）利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法，在单面抛光的基片上沉积一层金属层；

b）将沉积有金属层的基片进行快速退火处理，经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子，该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布，且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围；

c）以所述纳米金属粒子为掩模，对所述基片进行干法刻蚀，将将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上，在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构；

d）清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净；

e）对所述基片上的非周期性亚波长光栅结构进行烷化处理，形成所述亚波长抗反射结构压模。

9.如权利要求8所述的亚波长抗反射结构压模的制备方法，其特征在于：所述基片为硅片，所述烷化处理为：用1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷溶剂蒸发在基片具有非周期性亚波长光栅结构的表面上，然后将基片在热板上烘烤，使非周期性亚波长光栅结构的表面形成烷化层。

10.一种纳米压印法制备亚波长抗反射结构的方法，其特征在于：

利用如权利要求8所述的方法制备压模；

以上述压模置入平压紫外纳米压印设备的压头上，对一待压产品进行压印，使压模上的形状转移到该待压产品上，在该待压产品上形成亚波长抗反射结构。