[发明专利]具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法

权利要求书

1.一种半导体加工装置，包括：

装载锁，被设计成接收能够运载多个晶圆的晶圆载体；

内晶圆载体缓冲区，被配置成保持从所述装载锁接收的所述晶圆载体并对所述晶圆载体实施氮气净化；

外传送单元，位于所述内晶圆载体缓冲区外部并且和所述内晶圆载体缓冲区一起位于封闭区域中，并且所述外传送单元被配置为将所述晶圆载体从所述装载锁传送至所述内晶圆载体缓冲区；以及

加工模块，被设计成对来自所述晶圆载体的晶圆实施半导体工艺，其中，所述外传送单元还配置为从所述内晶圆载体缓冲区向所述加工模块传送所述晶圆载体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述内晶圆载体缓冲区具有进气口和出气口，所述进气口和所述出气口被配置成可与所述晶圆载体的对应气口相连接。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述进气口与氮气源相连接，所述出气口与排气装置相连接。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述内晶圆载体缓冲区进一步包括增压器件，所述增压器件被配置成能够与所述晶圆载体相连接并被设计成控制所述晶圆载体的压力。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述增压器件包括：

压力口，用于传输气体；

压力传感器，用于监控所述晶圆载体的压力；以及

阀，集成在所述压力口中并与所述压力传感器相连接。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述晶圆载体是前端开启式晶圆传导盒(FOUP)。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述加工模块包括被设计用于热氧化的熔炉。

8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：传送模块，所述传送模块被设计成将所述晶圆从所述内晶圆载体缓冲区传送到所述加工模块。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述加工模块包括配置在所述外传送单元和内传送单元之间的门。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述传送模块进一步包括：

所述外传送单元，用于将所述晶圆载体从所述内晶圆载体缓冲区传送到所述门；以及

所述内传送单元，用于将所述门处的所述晶圆载体中的晶圆传送到所述加工模块。

11.一种半导体加工装置，包括：

装载锁，被设计成接收能够运载多个晶圆的晶圆载体；

内晶圆载体缓冲区，被配置成保持来自所述装载锁的晶圆载体，所述内晶圆载体缓冲区具有被配置成能够与所述晶圆载体的对应气口相连接的用于气体净化的进气口和出气口；

加工模块，被设计成对来自所述晶圆载体的至少一个晶圆实施半导体工艺；以及

传送模块，被配置成将来自所述内晶圆载体缓冲区中的所述晶圆载体的晶圆传送到所述加工模块，其中，所述传送模块包括外传送单元，所述外传送单元位于所述内晶圆载体缓冲区外部并且和所述内晶圆载体缓冲区一起位于封闭区域中，并且所述外传送单元被配置为将所述晶圆载体从所述装载锁传送至所述内晶圆载体缓冲区，并且所述外传送单元还被配置为从所述内晶圆载体缓冲区向所述加工模块传送所述晶圆载体。

12.根据权利要求11所述的装置，其中：

所述晶圆载体是前端开启式晶圆传导盒(FOUP)；以及

所述加工模块包括被设计用于热氧化的熔炉。

13.根据权利要求11所述的装置，其中：

所述进气口与氮气源相连接，所述出气口与排气装置相连接；并且

所述进气口和所述出气口均包括用于控制气体输送的阀。

14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述内晶圆载体缓冲区进一步包括增压器件，所述增压器件被配置成能够与所述晶圆载体相连接并被设计成控制所述晶圆载体的压力。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述传送模块进一步包括：用于传送所述晶圆载体中的晶圆的内传送单元。