[发明专利]超声波探头及其制造方法

权利要求书

1.一种超声波探头，包括：

压电构件；

背衬层，设置在压电构件的后侧表面上，并且在背衬层的前侧表面上设置有安装压电构件的至少一个凹槽。

2.如权利要求1所述的超声波探头，其中：

压电构件被布置为一维阵列和二维阵列中的一种，

所述至少一个凹槽具有对应于压电构件的阵列的形状。

3.如权利要求2所述的超声波探头，其中，接地电极形成在组成压电构件的阵列的每个元件的至少一侧上，信号电极形成在包括与在上面形成接地电极的所述侧相对的侧部的每个元件的至少一侧上。

4.如权利要求2所述的超声波探头，其中，至少一个导电图案安装在所述至少一个凹槽中，以将电信号施加到压电构件的阵列。

5.如权利要求4所述的超声波探头，其中，所述至少一个导电图案形成在所述至少一个凹槽的至少一侧上。

6.如权利要求4所述的超声波探头，其中，所述至少一个导电图案与形成在压电构件的阵列的元件上的接地电极和信号电极中的至少一个电连接，以将电信号施加到所述元件。

7.一种超声波探头的制造方法，所述制造方法包括：

在背衬层的一侧上形成至少一个凹槽；

将压电构件安装在所述至少一个凹槽中。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，形成至少一个凹槽的步骤包括：

在背衬层的所述一侧上以一维阵列和二维阵列中的一种布置所述至少一个凹槽；

在所述至少一个凹槽的至少一侧上形成至少一个导电图案，以将电信号施加到压电构件的阵列。

9.如权利要求7所述的制造方法，其中，安装压电构件的步骤包括：

将匹配层安装在压电构件的一侧上；

将上面安装有匹配层的压电构件处理成一维阵列和二维阵列中的一种；

将接地电极和信号电极形成在组成处理的压电构件的阵列的每个元件上；

将设置有接地电极和信号电极的压电构件的阵列安装在所述至少一个凹槽中。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中，形成接地电极和信号电极的步骤包括：

将接地电极形成在组成处理的压电构件的阵列的每个元件的至少一侧上；

将信号电极形成在包括与在上面形成接地电极的所述侧相对的侧部的每个元件的至少一侧上。

11.如权利要求9所述的制造方法，其中，至少一个导电图案形成在将要与接地电极和信号电极中的至少一个电连接的所述至少一个凹槽中，以将电信号施加到所述元件。