[发明专利]一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺

权利要求书

1.一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤:

（1）硅片表面进行清洗，并进行织构化处理；

（2）将待处理硅片放于扩散炉中，升温至750-800℃ ，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10-25L/min；

（3）待温度稳定后，对硅片表面进行氧化预处理；

（4）进行磷源的沉积；

（5）关闭磷源，升高温度至800-900℃，进行无源推进；

（6）扩散结束，将石英舟退出。

2.根据权利要求1所述的一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：所述步骤（3）中预氧化处理的方法为：通入氧气，氧气流量为1-5 L/min，时间为10-20min，氧化温度为750-800℃。

3.根据权利要求1所述的一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：所述步骤（4）中磷源沉积在750-800℃进行，磷源流量为0.5-2L/min, 沉积时间为10-30min。

4.根据权利要求3所述的一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：所述步骤（4）中磷源沉积的方法为：将扩散炉中的温度保持在750-800℃，通入携带POCl3的氮气，其中携带POClC3的流量为0.5-2L/min，干氧的流量为0.5-2.5L/min，通源时间为10-30min。

5.根据权利要求1所述的一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：所述步骤（5）中在800-900℃进行无源推进，通入的氧气流量为0.5-2.5L/min,时间为10-40min。

6.根据权利要求1所述的一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：所述步骤（5）中停止通入携磷源气体源，将扩散温度升高到810-880℃，炉内环境为氮气气氛，氮气流量10-25L/min；干氧的流量是0.5-2.5L/min；推结时间控制在20-40min。