[发明专利]一种单晶硅的气相外延生长方法

权利要求书

1.一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，包括以下步骤：a、提供可供预处理的基底b、清洗c、提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上；d、向腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至所需压强和温度e、向腔体内通入气态硅源，并通过气相沉积工艺在基底表面生成预设厚度的牺牲层f、在牺牲层上方形成单晶硅层；g、将基底、牺牲层和单晶硅层冷却后放入去离子水中，通过超声波振动将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离；

所述的牺牲层为初步在基底表面生成的晶格有缺陷的单晶硅，即晶体中有些空位没有填满。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤a中，所述的可供预处理的基底为结构完整的单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤b中，所述的清洗采用化学清洗中的双氧水体系。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤c中，所述的基底储放装置为一个单晶硅片承载圆盘，它可以有效将基底与腔体分离开来，同时便于对基底进行处理。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤d中，所述的还原性气体为氢气，它可以去除基底表面的氧化硅；所述的腔体内压强为2至3千帕；所述的腔体内温度为950至1200摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤e中，所述的气态硅源为硅烷；所述的化学气相沉积工艺为减压化学气相沉积工艺，温度范围为600至700摄氏度，沉积压强为11至14千帕；牺牲层的预设厚度为1至3微米；该步骤硅烷流量为13.1～17.5sccm，时间为30～50秒。

7.根据权利要求1所述的一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，在步骤f中，该步骤硅烷流量为7.0～7.88sccm，温度为800-1000摄氏度，压强为11至14千帕。