[发明专利]一种薄硅工艺技术

权利要求书

1.一种薄硅工艺技术，其特征是，其步骤包括：a、提供可预处理的硅片；b、清洗；c、提供可供硅片腐蚀的容器，将硅片平放于腐蚀容器底面；d、在容器中用氢氧化钾溶液刻蚀；e、抛光。

2.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，在步骤a中，所述的硅片为结构完整、无裂纹的硅片，所述的硅片优选厚度小于等于200微米。

3.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，所述的薄硅工艺技术中，在步骤b中，所用的清洗溶液为过氧化氢溶液。

4.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，所述的薄硅工艺技术中，在步骤c中，所述的可供硅片腐蚀的容器为石英容器。

5.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，所述的薄硅工艺技术中，在步骤d中，容器内的工作温度为18摄氏度至30摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，所述的薄硅工艺技术中，在步骤e中，所述的抛光采用双面抛光工艺。