[发明专利]感应耦合等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201310002507.6 申请日: 2010-01-14
公开(公告)号: CN103094047A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 佐佐木和男 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C16/50
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 感应 耦合 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,包括:

收容被处理基板,实施等离子体处理的处理室;

在所述处理室内载置被处理基板的载置台;

向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统;

对所述处理室内进行排气的排气系统;

在所述处理室内形成感应电场的高频天线;和

向所述高频天线供给高频电力的第一高频电源,

在所述高频天线与所述处理室之间,形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗,

所述高频天线生成从所述金属窗的上表面至下表面进行循环的蜗电流,

所述金属窗在利用绝缘体相互绝缘的状态下,被分割为多个,

所述高频天线的平面形状为蜗旋状或环状,所述金属窗被分割为矩形的格状。

2.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

在所述金属窗的表面形成有电介质膜。

3.如权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

所述电介质膜是阳极氧化膜、或喷镀陶瓷制造。

4.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

在所述金属窗的位于处理室侧的表面,设置有电介质盖。

5.如权利要求4所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

所述电介质盖是石英制造、或陶瓷制造。

6.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

在所述金属窗的表面,形成有电导率比构成该金属窗的材料的电导率高的、为非磁性体的导电性的膜。

7.如权利要求6所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

所述为非磁性体的导电性的膜,在所述金属窗的侧面、和所述处理室侧表面形成为配线状,以限定在所述处理室生成的感应电场的方向。

8.如权利要求6所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

所述金属窗由铝或包含铝的合金构成,

所述为非磁性体的导电性的膜由铜或包含铜的合金,或者银或包含银的合金构成。

9.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

包括向所述载置台供给高频电力的第二高频电源,

所述金属窗经由仅使所述第二高频电源的高频通过的滤波器接地。

10.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

在所述金属窗设置有温度调节用流路。

11.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

在所述金属窗设置有喷出所述处理气体的喷出孔。

12.如权利要求11所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于:

所述金属窗构成为包括主体和具有喷出孔的喷淋板,该主体具有成为气体流路的凹部,在所述主体与所述喷淋板的接合面,设置有使所述主体和所述喷淋板电接触的导电性部件。

13.如权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,还包括:

包括可变电容的电容耦合模式电路,所述第一高频电源与所述高频天线的相互连接处形成一连接点,该可变电容的一端与该连接点连接,该可变电容的另一端与所述金属窗连接。

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