[发明专利]低功耗待机电路有效

专利信息
申请号: 201310002931.0 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103066690A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 向阳;郑绪成;陈建昌 申请(专利权)人: 广东美的制冷设备有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06;H02J7/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 528311 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功耗 待机 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗待机电路,其特征在于:包括:

主开关电源子电路,用于供用电器提供工作电压;

开关切换子电路,一端与所述主开关电源子电路连接另一端与电网连接,以控制所述主开关电源子电路的工作状态;

待机开关电源子电路,输入端与电网连接,输出端与储能元件连接,以为所述储能元件提供充电电压,所述储能元件用于供主控制芯片及相应的负载提供工作电压;

充放电开关子电路,连接于所述待机开关电源子电路的输出端与储能元件之间,用于控制所述储能元件的充放电。

2.如权利要求1所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述储能元件的正电压输出端通过一直流转换子电路与所述主控制芯片连接。

3.如权利要求2所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述直流转换子电路的输出端与所述负载之间连接一第一二极管,该第一二极管的阳极与所述直流转换子电路的输出端连接;阴极与所述负载连接;所述主开关电源子电路的输出端通过第二二极管与所述第一二极管的阴极连接;所述第一二极管的阴极和第二二极管的阴极的连接处与主控制芯片相连,以为所述主控制芯片供电。

4.如权利要求3所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述低功耗待机电路还包括反馈子电路,该反馈子电路分别与所述主开关电源子电路的输出端以及主控制芯片连接,以将所述主开关电源子电路的输出端电压反馈至主控制芯片。

5.如权利要求3所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述直流转换子电路通过第一二极管输出的电压小于所述主开关电源子电路通过第二二极管输出电压。

6.如权利要求2所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述储能元件为第一电容,所述第一电容为超级电容。

7.如权利要求6所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述开关切换子电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、双向光耦和双向可控硅;其中,第一三极管为NPN三极管,其基极通过第一电阻与主控制芯片连接,发射极接地,集电极与所述双向光耦中发光二极管的阴极连接;双向光耦中发光二极管的阳极通过第二电阻与所述直流转换子电路的输出端连接,接收端的一端与通过第三电阻与电网的火线连接,另一端与双向可控硅的控制极连接;所述双向可控硅的第一阳极与所述电网的火线连接,第二阳极与所述主开关电源子电路连接,并通过第四电阻与该双向可控硅的控制极连接。

8.如权利要求6所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述充放电开关子电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第二电容和第三二极管,其中第一场效应管的漏极与第三二极管的阴极连接,并通过第五电阻分别与第二场效应管的栅极和第三场效应管的漏极连接,栅极与第二场效应管的漏极连接,源极与所述第一电容的正极连接;第二场效应管的源极接地;第三场效应管的栅极与主控制芯片连接,并通过第六电阻接地,源极接地;第二电容和第七电阻并联后连接在第一场效应管的栅极和漏极之间;所述第三二极管的阳极与所述待机开关电源子电路的输出端连接。

9.如权利要求1至8任一项所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述低功耗待机电路还包括检测子电路,该检测子电路的一端与所述储能元件连接,另一端与主控制芯片连接,并根据储能元件的电压输出电压反馈信号至主控制芯片,以供主控制芯片控制所述充放电开关子电路的工作状态。

10.如权利要求1所述的低功耗待机电路,其特征在于:所述低功耗待机电路还包括用于控制负载与所述主开关电源子电路的输出端连接的负载开关子电路。

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