[发明专利]二次电池在审

专利信息
申请号: 201310003686.5 申请日: 2013-01-05
公开(公告)号: CN103296226A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 卞普铉 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01M2/02 分类号: H01M2/02;H01M10/04
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王占杰;常桂珍
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种二次电池,所述二次电池包括:

电池单元;

保护电路模块,电连接到电池单元;

顶壳,覆盖保护电路模块;以及

底壳,覆盖电池单元的底表面,

其中,底壳包括沿远离电池单元的底表面的方向形成的一个或多个沟槽。

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽沿远离电池单元的底表面的外围的方向形成。

3.根据权利要求2所述的二次电池,所述二次电池还包括位于电池单元的底表面的外围和底壳的所述一个或多个沟槽之间的粘结剂。

4.根据权利要求1所述的二次电池,所述二次电池还包括位于电池单元的底表面和底壳之间的粘结剂。

5.根据权利要求1所述的二次电池,所述二次电池还包括位于电池单元的底表面和底壳的所述一个或多个沟槽之间的粘结剂。

6.根据权利要求1所述的二次电池,其中,底壳具有彼此隔开的一对线性长边和将线性长边的相对端部连接的一对弯曲短边,所述一个或多个沟槽分别与所述一对线性长边隔开。

7.根据权利要求6所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽分别与所述一对线性长边基本上平行。

8.根据权利要求6所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽分别与所述一对弯曲短边隔开。

9.根据权利要求8所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽分别与所述一对弯曲短边基本上平行。

10.根据权利要求6所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽以实线类型形成。

11.根据权利要求6所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽以短划线类型形成。

12.根据权利要求1所述的二次电池,其中,底壳具有彼此隔开的一对线性长边和将线性长边的相对端部连接的一对弯曲短边,所述一个或多个沟槽分别沿所述一对线性长边的内侧区域形成。

13.根据权利要求12所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽分别沿所述一对弯曲短边的内侧区域形成。

14.根据权利要求12所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽以实线类型形成。

15.根据权利要求12所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽以短划线类型形成。

16.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述一个或多个沟槽的深度是底壳的厚度的5%至50%。

17.根据权利要求1所述的二次电池,

其中,底壳还包括紧密接触电池单元的底表面的平坦的第一表面和与第一表面相对的第二表面,

其中,所述一个或多个沟槽中的每个具有从第一表面朝第二表面倾斜的倾斜表面和从倾斜表面朝底壳的外围弯曲的弯曲表面。

18.根据权利要求1所述的二次电池,其中,电池单元包括一对长边区域,底壳还包括延伸到电池单元的长边区域且紧密地接触所述长边区域的紧密接触部分。

19.根据权利要求1所述的二次电池,所述二次电池还包括包住电池单元、顶壳和底壳的标签。

20.一种二次电池,所述二次电池包括:

电池单元;

壳体,覆盖电池单元的表面;以及

粘结剂,位于壳体和电池单元的所述表面之间,

其中,壳体包括沿远离电池单元的所述表面的方向形成的一个或多个沟槽,所述一个或多个沟槽将粘结剂容纳在其中。

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