[发明专利]辐射探测器及辐射探测装置

权利要求书

1.一种辐射探测器，包括：

用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；

位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；

位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及

位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体感测X射线或γ射线。

3.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为长方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是长方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是长方体的其余四个表面。

4.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为立方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是立方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是立方体的其余四个表面。

5.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为圆柱体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是圆柱体的顶面和底面，所述至少一个侧面是圆柱体的侧面。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射探测器，其中阴极连续覆盖半导体晶体的所述至少一个侧面。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射探测器，其中阴极分成位于半导体晶体的所述至少一个侧面的一部分并且共同连接在一起的多个区段。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射探测器，其中阴极完全覆盖半导体晶体的所述至少一个侧面。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的辐射探测器，其中第一阳极和第二阳极分别覆盖半导体晶体的顶部表面和底部表面的至少一部分。

10.根据权利要求9中任一项所述的辐射探测器，其中第一阳极和第二阳极的尺寸为半导体晶体的顶部表面和底部表面之间的高度的1/5～2/5，并且小于半导体晶体的顶部表面和底部表面的尺寸。

11.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中第一阳极和第二阳极具有相同的形状，并且分别对称地设置在半导体晶体的顶部表面和底部表面的中心。

12.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体由选自HgI₂、GaAs、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂和AlSb中的一种组成。

13.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中射线沿着半导体晶体的4π方向入射。

14.根据权利要求13所述的辐射探测器，其中射线沿着垂直于所述至少一个侧面中的一个侧面的方向入射。

15.一种辐射探测装置，包括：

根据权利要求1所述的辐射探测器；以及

信号处理电路，所述信号处理电路包括：

第一双极性放大整形电路，从第一阳极接收第一感测信号并进行放大和整形；

第二双极性放大整形电路，从第二阳极接收第二感测信号并进行放大和整形；

第一绝对值电路，从第一双极性放大整形电路接收第一感测信号并且计算第一感测信号的幅度的绝对值；

第二绝对值电路，从第二双极性放大整形电路接收第二感测信号并且计算第二感测信号的幅度的绝对值；

求和电路，从第一绝对值电路接收第一感测信号的幅度的绝对值，以及从第二绝对值电路接收第二感测信号的幅度的绝对值，并对第一感测信号的幅度的绝对值和第二感测信号的幅度的绝对值求和；以及

多道脉冲幅度分析器，接收求和电路的输出信号并对脉冲幅度分布进行分析。

16.根据权利要求15所述的辐射探测装置，还包括供电电路，在第一阳极、第二阳极与阴极之间提供工作电压。

17.根据权利要求16所述的辐射探测装置，其中根据半导体晶体的高度设置工作电压。

18.根据权利要求17所述的辐射探测装置，其中半导体晶体是尺寸为10mm×10mm×10mm的立方体，工作电压约为100～200V/mm。

19.根据权利要求18所述的辐射探测装置，其中工作电压约为200V/mm。