[发明专利]一种功率器件分压环的制作方法有效
| 申请号： | 201310004797.8 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103915340A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 分压环 制作方法 | ||
1.一种功率器件分压环的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
对氧化后衬底的有源区进行光刻；
将N型离子注入及驱入有源区形成N型区域，所述N型区域的上表面生成薄氧化层；
对所述的薄氧化层进行湿法刻蚀；
对衬底的分压环区进行光刻并注入P型离子。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述的薄氧化层进行湿法刻蚀具体为，采用35％氟化氨与49％氢氟酸质量比为7:1的缓冲溶液对所述的薄氧化层进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述的薄氧化层进行湿法刻蚀具体为，采用35％氟化氨与49％氢氟酸质量比为7:1的缓冲溶液对所述的薄氧化层进行刻蚀0.5～1.0分钟。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄氧化层的厚度为0.05~0.1um。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入P型离子，其注入剂量为1E15个/cm2，注入能量为60KEV～150KEV。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对氧化后衬底的有源区进行光刻具体为：
对所述衬底的上表面进行氧化，形成厚氧化层；
在所述厚氧化层的上表面涂覆光刻胶后，对所述衬底的有源区进行光刻；
对所述有源区的厚氧化层进行湿法刻蚀；
去除厚氧化层表面的光刻胶。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对衬底的分压环区进行光刻并注入P型离子具体为：
在N型区域及厚氧化层上涂覆光刻胶层，通过光刻工艺在光刻胶层中形成分压环光刻窗口；
对所述分压环光刻窗口内厚氧化层进行湿法刻蚀；
在所述分压环光刻窗口内进行P型离子注入及驱入，在衬底内形成P型区域；
去除N型区域及厚氧化层上的光刻胶层。
8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法适用于双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、金属氧化物半导体场效应管、快恢复二极管或高压金属氧化物半导体场效应管的分压环的制作。
9.权利要求1-8任一项所述的方法在半导体芯片制造中的应用。
10.一种功率器件半成品，包括分压环区和N型区域，其特征在于，所述分压环区表面依次覆盖氧化层和光刻胶层，N型区域表面仅覆盖光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
