[发明专利]基于倒装芯片的封装基板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于倒装芯片的封装基板，其特征在于：包括具有芯片绑定区域的子基板（1），所述的子基板（1）的上方形成具有开口的反射层（4），所述的开口底部露出所述的芯片绑定区域表面，所述的子基板（1）的下方形成有齐纳管（2），所述的子基板（1）上具有与所述的芯片绑定区域对应的贯穿上下两面的开孔（3），所述的芯片绑定区域上形成有绑定电极（5），所述的绑定电极（5）穿过所述的开孔（3）覆盖在子基板（1）下方形成背面电极并将所述的齐纳管（2）反向并联于倒装芯片。

2.根据权利要求1所述的基于倒装芯片的封装基板，其特征在于：所述的反射层（4）包括DBR反射镜或者ODR反射镜。

3.一种用于制备如权利要求1所述的基于倒装芯片的封装基板的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有芯片绑定区域的半导体子基板（1）；在所述的子基板（1）的下方制作齐纳管（2）；在所述的子基板（1）上开设贯穿上下两面的开孔（3），所述的开孔（3）的位置对应于所述的芯片绑定区域；在所述的子基板（1）的上方形成反射层（4），并在所述反射层（4）中形成开口，所述开口底部露出所述的芯片绑定区域表面；在所述的芯片绑定区域涂覆锡膏形成绑定电极（5），锡膏穿过所述的开孔（3）流至背面覆盖在子基板（1）下方形成背面电极，并将所述的齐纳管（2）反向并联于倒装芯片。

4.根据权利要求3所述的用于制备基于倒装芯片的封装基板的生产方法，其特征在于：在所述的子基板（1）的下方采用扩散或者离子注入的方法制作齐纳管（2）。

5.根据权利要求3所述的用于制备基于倒装芯片的封装基板的生产方法，其特征在于：在所述的子基板（1）上采用激光穿孔的方法开设贯穿上下两面的开孔（3）。

6.根据权利要求3所述的用于制备基于倒装芯片的封装基板的生产方法，其特征在于：所述的反射层（4）包括DBR反射镜或者ODR反射镜。

7.根据权利要求3所述的用于制备基于倒装芯片的封装基板的生产方法，其特征在于：通过光刻、湿法刻蚀的方法在所述反射层（4）中形成开口。

8.一种LED芯片，其特征在于：包括如权利要求1或2所述的基于倒装芯片的封装基板。