[发明专利]LED芯片切割方法及其制备的LED芯片无效
| 申请号： | 201310004858.0 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103022284A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈家洛;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 切割 方法 及其 制备 | ||
1.一种LED芯片切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）提供具有GaN外延发光层的半导体衬底，在半导体衬底正面进行激光划片形成沟槽以分割晶粒，采用湿法腐蚀方法腐蚀激光烧蚀区域以在沟槽内形成粗化表面，在此基础上完成后续芯片制造；
（2）将半导体衬底减薄、抛光之后再镀制背面反射镜；
（3）在半导体衬底背面进行激光隐形切割，切割位置与半导体衬底正面的沟槽在水平方向上错开；
（4）沿隐形切割位置将芯片劈裂开，此时沿半导体衬底正面的沟槽底部与半导体衬底背面的隐形切割位置之间裂开形成具有斜裂面的“ㄣ”形断面。
2.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于：所述的“ㄣ”形断面的斜裂面的倾角随着芯片尺寸的增大而减小。
3.根据权利要求2所述的LED芯片切割方法，其特征在于：通过减小半导体衬底背面的切割深度以减小“ㄣ”形断面的斜裂面的倾角。
4.根据权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于：所述的半导体衬底的材料包括蓝宝石、氧化锌、氮化镓或者碳化硅。
5.一种根据以上任一权利要求所述的LED芯片切割方法所制备的LED芯片，其特征在于：所述的LED芯片的边缘呈具有斜裂面的“ㄣ”形断面。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述的“ㄣ”形断面具有粗化表面。
7.根据权利要求5或6所述的LED芯片，其特征在于：所述的“ㄣ”形断面的斜裂面的倾角随着芯片尺寸的增大而减小。
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