[发明专利]半导体的3D传输线有效
| 申请号： | 201310004905.1 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311217A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 林佑霖;颜孝璁;郭丰维;陈和祥;郭晋玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L23/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 传输线 | ||
1.一种半导体传输线结构，包括：
第一管芯，包括第一衬底、形成在所述第一衬底上方的第一绝缘层以及形成在所述第一绝缘层上方的接地层；
第二管芯，包括第二衬底、形成在所述第二衬底上方的第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层上方的信号传输线，所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上方并与所述第一管芯间隔开；以及
底部填充物，设置在所述第一管芯的接地层和所述第二管芯的信号传输线之间。
2.根据权利要求1所述的传输线结构，其中，所述第一管芯的所述第一绝缘层是包括导电金属互连件和金属间介电层的含金属层。
3.根据权利要求1所述的传输线结构，其中，所述接地层设置在所述第一管芯的所述第一绝缘层上方；或者
所述信号传输线设置在所述第二管芯的所述第二绝缘层顶部。
4.根据权利要求1所述的传输线结构，进一步包括形成在所述第二管芯的第二绝缘层上方的第一接地带，所述第一接地带与所述信号传输线共面并与所述信号传输线横向间隔开。
5.根据权利要求1所述的传输线结构，进一步包括形成在所述第二管芯的第二绝缘层上方的第二接地层，所述第二接地层与所述信号传输线垂直间隔开。
6.一种半导体传输线结构，包括：
中介层，包括形成在其上的接地层或信号传输线；
管芯，包括衬底、形成在所述衬底上方的绝缘层以及形成在所述绝缘层上方的所述中介层中未包括的一个接地层或信号传输线，所述管芯堆叠在所述中介层上方并与所述中介层间隔开；以及
电绝缘底部填充物，设置在所述接地层和所述信号传输线之间并填充所述中介层和所述管芯之间的空间。
7.根据权利要求6所述的传输线结构，进一步包括第一接地带，形成为与所述信号传输线共面并与所述信号传输线横向间隔开。
8.一种形成半导体传输线结构的方法，所述方法包括：
在第一管芯上或在所述第一管芯中形成接地层；
在第二管芯上或在所述第二管芯中形成信号传输线；
在所述第一管芯和所述第二管芯之间形成间隙；以及
利用绝缘底部填充材料填充所述间隙。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述信号传输线的横向侧形成接地带；或者
进一步包括在所述信号传输线的上方形成第二接地层。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述第一管芯或第二管芯设置的介电层中形成金属互连件。
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