[发明专利]SIM卡热插拔保护及SIM卡在位关机刷卡方法、终端有效

专利信息
申请号: 201310005055.7 申请日: 2013-01-07
公开(公告)号: CN103064816A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 王浩;田欣;李勇 申请(专利权)人: 华为终端有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: sim 卡热插拔 保护 在位 关机 刷卡 方法 终端
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术,尤其涉及一种SIM卡热插拔保护及SIM卡在位关机刷卡方法、终端。

背景技术

随着智能手机的不断发展,终端朝着大电池容量、轻薄方向发展,越来越多的终端采用内置电池的方案。内置电池的结构让手机客户更容易将客户识别模块(Subscriber ldentity Module,以下简称SIM卡)从SIM卡座中拔出或插入。不管终端能否支持SIM卡热插拔,用户都有可能会在终端开机状态下误将SIM卡从SIM卡座中拔出或插入。

SIM卡热插拔过程中最大的问题就在于,SIM卡座在未掉电的情况下,会与SIM卡的非电源信号随机接触,造成不可预料的信号冲突及混乱的上下电时序。如图1所示,现有技术方案使用SIM卡座的在位检测开关直接控制模拟切换开关1来实现对SIM卡的热插拔保护。现有技术中,所述在位检测开关只能在SIM卡完全从所述SIM卡座中拔出或所述SIM卡完全插入所述SIM卡座中后,才会生成断开触发信号SIM_DCT,以控制模拟切换开关1断开SIM卡座的信号传输通路和电源供电通路,因此需要对所述在位检测开关进行时序调整以保证SIM卡在临近接触或脱开所述SIM卡座前,即生成所述断开触发信号SIM_DCT。现有技术通过时序调整来控制在位检测开关生成断开触发信号SIM_DCT来实现对SIM卡的热插拔保护,其可靠性较低,有时还是会在SIM卡热插拔过程中损坏SIM卡接口。

另外,现有技术中,对于插设有支持NFC(Near Field Communication,近距离无线通讯)技术的SIM卡的终端来说,当终端处于关机状态时,由于SIM卡座的信号传输通路和电源供电通路均已断开,致使SIM卡无电源供电也不能进行信息的交互,因此终端无法实现NFC刷卡功能。

发明内容

本发明的多个方面提供一种SIM卡热插拔保护方法、终端SIM卡在位关机刷卡方法、及终端,以提高热插拔保护的可靠性,进一步提高终端功能的多样性,方便用户使用。

本发明的第一个方面,提供一种SIM卡热插拔保护方法,包括:

若监测到客户识别模块SIM卡座中第一信号产生开关触发了第一有效电平,则根据所述第一有效电平,生成下电控制信号,其中,所述第一有效电平为SIM卡插入过程中移动至SIM卡座的第一位置时触碰所述第一信号产生开关而触发的,或者所述第一有效电平为所述SIM卡拔出过程中移动至所述SIM卡座的第二位置时触碰所述第一信号产生开关而触发的;

根据所述下电控制信号,对所述SIM卡座进行下电处理。

如上所述的SIM卡热插拔保护方法,所述根据所述下电控制信号,对所述SIM卡座进行下电处理,具体为:

根据所述下电控制信号,采用预设的下电顺序对所述SIM卡座进行下电处理。

如上所述的SIM卡热插拔保护方法,其中,所述预设的下电顺序为:先对所述SIM卡座的信号通路进行下电处理,再对所述SIM卡座的电源供电通路进行下电处理;相应地,

所述根据所述下电控制信号,采用预设的下电顺序对所述SIM卡座进行下电处理,包括:

根据所述下电控制信号,生成第一下电触发指令,以使模拟切换开关根据所述第一下电触发指令,断开所述SIM卡座的信号通路;

距生成所述第一下电触发指令预设时差后,生成第二下电触发指令,以使模拟切换开关根据所述第二下电触发指令,断开所述SIM卡座的电源供电通路。

如上所述的SIM卡热插拔保护方法,还包括:

若监测到所述SIM卡座中第二信号产生开关触发了第二有效电平,则根据所述第二有效电平,生成拔出或插入信息,其中,所述第二有效电平为所述SIM卡插入过程中移动至所述SIM卡座的所述第二位置时触碰所述第二信号产生开关而触发的,或者所述第二有效电平为所述SIM卡拔出过程中移动至所述SIM卡座的所述第一位置时触碰所述第二信号产生开关而触发的;

向处理器发送所述拔出或插入信息,以使所述处理器根据所述拔出或插入信息,生成SIM卡拔出或插入提示信息。

如上所述的SIM卡热插拔保护方法,还包括:

接收处理器发送的开机初始化信息;

根据所述开机初始化信息,对SIM卡座进行工作时序的初始化。

本发明的第二个方面,提供一种终端,包括:

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