[发明专利]基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310005350.2 申请日: 2013-01-08
公开(公告)号: CN103117070A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 李兴鳌;赵晋阳;李晓峰;陈晃毓;潘聪;王志姣;杨涛;杨建平;黄维 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G11B7/241 分类号: G11B7/241;G11B7/26
代理公司: 江苏爱信律师事务所 32241 代理人: 唐小红
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 氮化 薄膜 一次 写入 双面 光盘 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘,其特征在用于该双面光盘主要分为五层,依次包括第一基板(1)、第一记录层(2)、吸收层(3)、第二记录层(4)和第二基板(5);

第一基板(1)和第二基板(5)分别是光盘的第一层和第五层,它们是光盘其它部分的载体,也是整个光盘的物理外壳;

第一记录层(2)和第二记录层(4)分别是光盘的第二层和第四层,它们是烧录时刻录信号的地方,利用磁控溅射方法制备的氮化铜薄膜一次性光存储介质,由于烧录前后的反射率不同,读取不同长度的信号时,通过反射率的变化形成0与1信号,借以读取信息;

吸收层(3)是光盘的第三层,它是吸收多余红外线的区域,将透过第一记录层(2)和第二记录层(4)的多余红外线吸收。

2. 一种如权利要求1所述的基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘的制造方法,其特征在于制备方法具体为:

a. 选择稳定性强的透明材料为基底,利用磁控溅射镀膜方法制备出两份镀有氮化铜薄膜的基底;

b. 在完成上一步后,将两份镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的相同尺寸和形状,其中之一的基底作为第一基板(1),氮化铜薄膜作为第一记录层(2),另外的基底作为第二基板(5),氮化铜薄膜作为第二记录层(4);

c. 上述加工完成后,将具有良好吸收红外线能力的材料填充在第一记录层(2)与第二记录层(4)之间,并将它们粘贴起来,使其夹在第一记录层(2)与第二记录层(4)之间作为吸收层(3),将透过氮化铜薄膜记录层的红外线吸收;

d. 上述加工全部完成后得到基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘。

3. 如权利要求2所述的基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘的制造方法,其特征在于步骤a中,利用磁控溅射镀膜方法制备出两份镀有氮化铜薄膜的基底,是在真空度为1Pa的真空室,以Cu为靶材,N2为反应气体制备的,待其自然冷却后将其取出,然后将其加工作为基板和记录层。

4. 如权利要求2所述的基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘的制造方法,其特征在于所述稳定性强的透明材料为K9玻璃、石英玻璃或PC材料。

5. 如权利要求2所述的基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘的制造方法,其特征在于所述良好吸收红外线能力的材料为红外吸收颜料。

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