[发明专利]一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201310005426.1 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103066157A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 inp ingaas 材料 表面 粗糙 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，包括：
（1）采用常规分子束外延方法在InP衬底上生长InGaAs组分渐变异变缓冲层；
（2）在组分渐变异变缓冲层上生长反向失配超薄外延层用于降低材料的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的向失配超薄外延层相对异变缓冲层与InGaAs异变缓冲层相对InP衬底的晶格失配相反。
3.根据权利要求1所述的一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的反向失配超薄外延层厚度范围为0.5-5nm。
4.根据权利要求1所述的一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的反向失配超薄外延层厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度。
5.根据权利要求1所述的一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤（1）中的组分渐变异变缓冲层组分为InxGa1-xAs，x从0.53渐变至y（0.53<y<1）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310005426.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种N型太阳能电池及其制作方法
- 下一篇：一种降低影像传感器小丘的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
