[发明专利]用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备

说明书

本申请是分案申请，其母案的申请号为200780021910.6，申请日为2007年4月30日，名称为“用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备”。

技术领域

本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)。

背景技术

微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子装置。可使用沉积、蚀刻及/或其它蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置的微机械加工工艺来形成微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。本文所用术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中一者或两者可全部或部分地透明及/或反射，且在施加适当的电信号时能够相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的静止层，而另一个板可包含通过气隙与所述静止层隔开的金属膜。如本文更详细说明，一个板相对于另一个板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛的应用范围，且在所属技术领域中，利用及/或修改这些类型的装置的特性以便可将其特征用于改善现有产品及制造目前尚未开发的新产品将颇为有益。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有若干方面，任何单个方面均不能单独决定其所期望的属性。现在将简要论述本发明的较突出特征，而此并不限定本发明的范围。在参阅此论述之后，尤其是在阅读了标题为“具体实施方式”的章节之后，将理解本发明的特征如何提供优于其它显示器装置的优点。

在某些实施例中，光调制器装置包含：第一电导管；第二电导管，与所述第一导管电隔离；第一显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信；及第二显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。

在某些实施例中，光调制器装置包含：用于传导电信号的第一构件；用于传导电信号的第二构件；及用于调制光的第一构件，其经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信。所述第二传导构件与所述第一传导构件电隔离。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一调制构件处于激活状态。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一调制构件处于释放状态。所述第二调制构件经配置以与所述第一传导构件及所述第二传导构件进行通信。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二调制构件处于激活状态。当所述第一传导构件与所述第二传导构件之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二调制构件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。

在某些实施例中，一种调制光的方法包含：提供第一显示器元件，其经配置以与第一导管及第二导管进行通信；提供第二显示器元件，其经配置以与所述第一导管及所述第二导管进行通信；及选择性地将电压施加到所述第一及第二导管以选择性地激活及释放所述第一显示器元件及所述第二显示器元件。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第一激活电压的量值时，所述第一显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第一释放电压的量值时，所述第一显示器元件处于释放状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有大于第二激活电压的量值时，所述第二显示器元件处于激活状态。当所述第一导管与所述第二导管之间的电压差具有小于第二释放电压的量值时，所述第二显示器元件处于释放状态。或所述第一激活电压大致等于所述第二激活电压且所述第一释放电压不同于所述第二释放电压，或所述第一激活电压不同于所述第二激活电压且所述第一释放电压大致等于所述第二释放电压。