[发明专利]陶瓷电子元件

说明书

技术领域

本发明涉及陶瓷电子元件的制造方法，特别是涉及具备为了防止水分浸入到陶瓷电子元件的内部，而对元件主体赋予疏水性的工序的陶瓷电子元件的制造方法。

背景技术

在陶瓷电子元件中，如果其空隙部分浸入了水分，就会造成电绝缘性及寿命特性的恶化。这种水分的浸入，容易发生在例如为了形成外部端子电极所实施的电镀处理的时候，或者在高湿度环境下使用的时候。特别是，在具备有层叠构造的元件主体的层叠型陶瓷电子元件的情况下，水分很容易通过在内部电极和陶瓷层的界面所形成的缝隙而浸入。这种情况下，为了与内部电极电连接，在元件主体的外表面上形成有外部端子电极，即便是在内部电极和陶瓷层的界面被外部端子电极覆盖的状态下，水分也可由各种空隙或缝隙浸入。特别是，在外部端子电极仅通过电镀而形成的情况下，水分就更容易浸入。

作为防止如上述那样的水分浸入的方法，在很多专利文献中都提到赋予疏水处理剂(也可称为“防水处理剂”)的方法。

例如，在日本专利第3304798号公报(专利文献1)及日本专利第3444291号公报(专利文献2)所记载的技术中，在外部电极上实施电镀处理之前，通过在陶瓷素体表面、外部电极表面形成疏水膜，来防止水分的浸入。此外，在专利文献1及2所记载的内容中，上述疏水膜，是在大气压下或者真空减压下，通过将形成有外部电极的陶瓷素体浸渍在疏水处理剂中而形成的。

另一方面，在日本专利第4167360号公报(专利文献3)所记载的技术中，在外部电极上实施电镀处理之后，通过在外部端子电极的表面及内部多孔部分，浸渗拥有疏水性的构材，来防止水分的浸入。在这里，在向多孔部分浸渗具有疏水性的构材的浸渗工序中，在真空减压下，将电镀处理完后的芯片(chip)浸渍在具有疏水性的构材中。另外，在专利文献3所记载的内容中，为了不损坏外观及焊料湿润性，从外部端子电极的表面去除具有疏水性的构材。

如上所述，在专利文献1～3所记载的技术中，在大气压下或者真空减压下浸渗疏水处理剂。但是，仅仅在大气压下或者真空减压下进行的浸渗，对于细小的空隙或深部，就存在不能充分浸透疏水处理剂，造成疏水(防水)效果不充分，引起可靠性降低的情况。

另外，如专利文献1及2记载的技术，在陶瓷素体表面及外部电极表面形成疏水膜之后，在不实施去除疏水膜的工序的情况下，如若疏水处理剂的疏水能力过高，则在其后的电镀处理中，可能会发生电镀薄膜的析出不良或粘合不良等缺陷。但是，相反地，若重视抑制电镀处理中的上述缺陷而降低所使用的疏水处理剂的疏水能力的话，则不能充分地获得本来的防止水分浸入的效果。由于这些因素，在应用专利文献1及2所记载的技术的情况下，在疏水处理剂的选定及浸渗处理条件方面受很大制约。

另一方面，如专利文献3记载的技术，在浸渗具有疏水性的构材之后，实施去除其的工序的情况下，如果去除不充分的话，则外观及软钎焊性(soldering)会产生缺陷，相反地，如果去除过量，则不能充分获得本来的防止水分浸入的效果。由于这些因素，在应用专利文献3所记载的技术的情况下，在具有疏水性的构材的选定及浸渗处理条件方面受很大限制，并且在去除条件方面也受很大制约。

【专利文献1】日本专利第3304798号公报

【专利文献2】日本专利第3444291号公报

【专利文献3】日本专利第4167360号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供一种可以解决上述问题点的陶瓷电子元件的制造方法。

本发明适用于如下的陶瓷电子元件的制造方法，包括：准备由陶瓷构成的元件主体的工序；在元件主体的外表面上形成外部端子电极的工序；和使用疏水处理剂至少对元件主体赋予疏水性的工序，为了解决上述技术课题，其特征在于，在上述赋予疏水性的工序中，实施使用以超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂至少对元件主体赋予疏水性的工序。

还有，在本发明中，实施上述赋予疏水性的工序的时间点并没有特别限定。也就是说，本发明的范围既包括在形成外部端子电极的工序之前及之后的任意时间点实施，还包括在形成外部端子电极的工序中包含例如煅烧(或者硬化)工序及电镀工序这样的多个工序的情况下，在形成外部端子电极的工序的途中的时间点实施。另外，赋予疏水性的工序也可多次实施。

另外，作为超临界流体，优选使用公知的CO₂超临界流体。