[发明专利]存储器装置及其电源调整方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置及其电源调整方法，且特别是有关于具有传感器的存储器装置及其电源调整方法。

背景技术

动态随机存取存储器DRAM由于具有成本低、储存容量高以及体积小，已成为现今最常使用的易失性存储器。

在DRAM生产制造的过程中，由于工艺变异，可能会导致DRAM中各区域产生不同的工艺特性。例如，在提供固定内部供应电压的状况下，DRAM的第一区域（未绘示）可能会具有较快的工作速度（Fast Corner），而第二区域（未绘示）则具有较慢的工作速度（Slow Corner），使得DRAM出厂时各区域效能的均一性（uniformity）不佳。

在操作期间，DRAM中各区域可能会各自独立操作，因此会产生不同的操作温度。例如，在DRAM的第一及第二区域（未绘示）频繁操作的同时，第三及第四区域（未绘示）可能为低度操作或未操作的状态，因此，第一及第二区域周边的温度会高于第三及第四区域的温度。此时，频繁操作的区域需要较高的工作电压来提升效能，而低度或未操作的区域则仅需较低的工作电压即可。现有技术由于内部供应电压固定，会导致频繁操作的区域无法达到所需的效能，而低度或未操作的区域则产生多余的电力消耗等问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种存储器装置及其电源调整方法，可依据存储器元件的工艺特性及/或工作温度调整电源电路所输出至存储器元件的内部电压，以最佳化存储器元件的效能与电力消耗。

本发明提出一种存储器装置，包括一存储器元件、多个电源电路、多个运作控制器及一传感器。存储器元件配置于一存储器区域中，且包括一存储器库及一存储器控制器。存储器控制器耦接存储器库。电源电路耦接存储器库及存储器控制器，用以分别转换一外部电压为一内部电压以提供至存储器库及存储器控制器。运作控制器配置于周边区域中，且耦接这些电源电路以接收内部电压。传感器耦接这些电源电路，且检测存储器元件及这些运作控制器的至少其一的工作温度，并依据所检测到工作温度控制这些电源电路调整内部电压的大小。

在本发明的一实施例中，当工作温度较高时，这些电源电路受控于传感器调高内部电压。

在本发明的一实施例中，当工作温度较低时，这些电源电路受控于传感器调低内部电压。

在本发明的一实施例中，传感器更检测存储器元件及这些运作控制器的至少其一的工艺特性，以依工艺特性控制这些电源电路调整内部电压的大小。

在本发明的一实施例中，当工艺特性为对应较快速工作速度处(Fast Corner)时，这些电源电路受控于传感器调低内部电压。

在本发明的一实施例中，当工艺特性为对应较慢工作速度处(Slow Corner)时，这些电源电路受控于传感器调高对应的内部电压。

在本发明的一实施例中，存储器装置更包括一寄存器，耦接于传感器与这些电源电路之间，用以暂存传感器的感测结果。

本发明亦提出一种存储器装置的电源调整方法，存储器装置包括一存储器元件、多个电源电路、多个运作控制器及一传感器，电源调整方法包括下列步骤。通过传感器检测存储器元件及这些运作控制器的至少其一的工作温度，以及依据所检测的工作温度调整这些电源电路提供至存储器元件及这些运作控制器的内部电压的大小。

在本发明的一实施例中，依据所检测的工作温度调整这些电源电路提供至存储器元件及这些运作控制器的内部电压的大小的步骤包括：当工作温度较高时，调高内部电压；当工作温度较低时，调低内部电压。

在本发明的一实施例中，存储器装置的电源调整方法更包括：通过传感器检测存储器元件及这些运作控制器的至少其一的工艺特性，以及依据工艺特性调整这些电源电路提供的内部电压的大小。

在本发明的一实施例中，依据工艺特性调整这些电源电路提供的内部电压的大小的步骤包括：当工艺特性为对应较快速工作速度处时，调低内部电压；当工艺特性为对应较慢工作速度处时，调高内部电压。

基于上述，本发明实施例的存储器装置及其电源调整方法，配置于存储器区域中的传感器可检测存储器元件及及这些运作控制器的至少其一的工作温度，而电源电路可依据工艺特性调整提供至存储器元件及这些运作控制器的内部电压。并且，传感器可检测存储器元件及这些运作控制器的至少其一的工作温度，而电源电路可依据工艺特性调整内部电压。藉此，可最佳化存储器装置的效能与电力效耗。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的存储器装置的系统示意图。