[发明专利]图案的形成方法

权利要求书

1.一种图案的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有膜层、位于所述膜层上的刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案，第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍；

在所述第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线，其中，第二线的线宽等于第一线的线宽，第二线的材料与第一线的材料不同；

在所述第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线的线宽相同；

在所述第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线，第四线的线宽与第一线的线宽相同，第四线的材料与第三线的材料不同；

去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层，暴露膜层；

在所述暴露的膜层上外延生长形成第五线，第五线的材料与第四线的材料不同；

去除第二线、第四线，最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一线、第三线的材料均为多晶硅，第二线、第四线的材料均为锗硅；或者所述第一线的材料为光刻胶、无定形碳、或含硅抗反射层，第二线的材料为氮化硅或氧化硅，第三线的材料为多晶硅，第四线的材料为锗硅。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述第一线的材料为多晶硅、无定形碳或含硅抗反射层，所述第一线的形成方法包括：

沉积第一线材料，覆盖刻蚀阻挡层；

在所述第一线材料上形成图形化的光刻胶层，定义第一线的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀第一线材料，形成第一线；

去除图形化的光刻胶层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当第二线的材料为锗硅，所述形成第二线的方法，包括：

在第一线上形成硬掩模层；

以所述硬掩模层为掩模，在第一线延伸方向的侧壁外延生长锗硅，为第二线；

当第一线上形成硬掩模层，在去除第二线、第四线时，使用湿法腐蚀法去除硬掩模层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料为氮化硅。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第三线的方法，包括：

沉积多晶硅层，覆盖刻蚀阻挡层、第一线、第二线；

回刻蚀多晶硅层，至刻蚀阻挡层表面停止，剩余第二线的与第一线相对且远离第一线侧壁的多晶硅层，为第三线。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉积多晶硅层的方法为原子层沉积法。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述回刻蚀多晶硅层的方法为原子层刻蚀法。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除第一线、第四线的方法为湿法腐蚀法，使用的腐蚀剂为稀盐酸。

10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当第一线的材料为光刻胶，形成第一线的方法包括：

在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影处理，形成第一线。

11.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当第二线的材料包括氧化硅或氮化硅，形成第二线的方法，包括：

沉积第二线材料，覆盖第一线、刻蚀阻挡层；

回刻第二线材料，至刻蚀阻挡层表面停止，剩余第一线沿延伸方向的两相对侧壁的第二线材料，为第二线。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜层的材料为多晶硅，所述第五线的材料为多晶硅。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层的方法为干法刻蚀法。