[发明专利]一种新型的紫外发光二极管结构无效
| 申请号： | 201310007371.8 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103296156A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵志斌;曲轶;张晶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林省长春市朝*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 紫外 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型紫外发光二极管结构，包括缓冲层，n型层，活跃区，p型电子阻挡层，p型层和p型接触层的设计。
2.根据要求1所述，在发光二级管结构的设计中，其特征在于，
（1）在c面蓝宝石上依次生长缓冲层AlN、 n型层Al0.4Ga0.6N、 活跃区Al0.565Ga0.435N/Al0.5Ga0.5N、 p型电子阻挡层Al0.19Ga0.81N、 p型层Al0.2Ga0.8N/GaN、 p型接触层GaN。
（2）以AlN作为缓冲层，其厚度为600nm和掺杂2×1018cm-3Si。
（3）以Al0.4Ga0.6N为n型层，其厚度为130nm和掺杂2×1018cm-3Si。
（4）以4个5nm厚Al0.565Ga0.435N为活跃区，中间由10nm厚掺杂2×1018cm-3Si的 Al0.5Ga0.5N隔开。
（5）以Al0.19Ga0.81N作为p型电子阻挡层，其掺杂0.1×1018cm-3Mg。
（6）以Al0.2Ga0.8N/GaN作为p型层，其厚度为130nm和掺杂0.4×1018cm-3Mg。
（7）以GaN为p型接触层，其厚度为5nm和掺杂1×1018cm-3Mg。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310007371.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
