[发明专利]磁阻感测装置及其磁阻感测元件

权利要求书

1.一种磁阻感测元件，其特征在于：该磁阻感测元件包括一基材、一第一电极、一第二电极及一第一磁性层；该基材具有一基准平面；该第一电极位于该基准平面上方；该第二电极位于该基准平面上方；该第一磁性层，位于该基准平面上方，并与该基准平面夹一第一非平角，且该第一磁性层具有一第一磁化方向以及用来导通该第一电极和该第二电极的一第一电流导通路径，其中该第一电流导通路径与该第一磁化方向夹一第一角度。

2.如权利要求1所述的磁阻感测元件，其特征在于：该基材为表层覆盖一绝缘材料的一硅基板，或是具有一前段逻辑电晶体元件的一硅晶片。

3.如权利要求1所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一电流导通路径，导通该第一电极的一上部与该第二电极的一下部。

4.如权利要求3所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一电极的该上部和该第二电极的一上部，分别为一第一图案化金属层的一部分；且该第一电极的一下部和该第二电极的该下部，分别为一第二图案化金属层的一部分。

5.如权利要求1所述的磁阻感测元件，更包括一第三电极及一第二磁性层；该第三电极位于该基准平面上；该第二磁性层位于该基准平面上方，与该基准平面夹一第二非平角，且该第二磁性层具有一第二磁化方向，以及导通该第三电极和该第二电极的一第二电流导通路径，其中该第二电流导通路径，与该第二磁化方向夹一第二角度。

6.如权利要求5所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第二电流导通路径，导通该第二电极的一上部与该第三电极的一下部。

7.如权利要求6所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一非平角与该第二非平角，二者实质相等；且该第一磁化方向与该第二磁化方向，实质同向。

8.如权利要求7所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一磁性层与该第二磁性层，二者是共平面的一体成型结构，且彼此相连。

9.如权利要求8所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一磁性层跨接于该第一电极的该上部和该第二电极的该上部之间，且具有一跨接电阻值；该第一电流导通路径具有一第一电阻值，该第二电极具有一第二电阻值；且该跨接电阻值实质大于该第一电阻值和该第二电阻值二者的总和。

10.如权利要求5所述的磁阻感测元件，更包括一第三磁性层、一第四磁性层及一第五磁性层；该第三磁性层位于该第一电极上方，且电性连接该第一电极与该第一磁性层；该第四磁性层位于该第三电极上方，且电性连接该第三电极与该第二磁性层；该第五磁性层位于该第二电极上方，电性连接该第一磁性层、该第二电极与该第二磁性层。

11.如权利要求10所述的磁阻感测元件，其特征在于：该第一磁性层、该第二磁性层、该第三磁性层、该第四磁性层与该第五磁性层，是一单一磁性材料结构。

12.一种磁阻感测装置，其特征在于：该磁阻感测装置包括四个如权利要求1所述的磁阻感测元件:第一磁阻感测元件、第二磁阻感测元件、第三磁阻感测元件及第四磁阻感测元件；该四个磁阻感测元件彼此电性连结，并组成一惠氏登电桥回路（Wheatstone bridge circuit）；该四个磁阻感测元件的该些基准平面相同，并共用一基材。

13.如权利要求12所述的磁阻感测装置，其特征在于：该第一磁阻感测元件的该第一角度为一第一锐角；该第二磁阻感测元件的该第一角度为实质与该第一锐角相同的一第二锐角；且在相同的一垂直磁场作用下，该第一锐角会产生正向的一角度变化量；而该第二锐角会产生负向的该角度变化量。

14.如权利要求13所述的磁阻感测装置，其特征在于：更包括该第三磁阻感测元件与该第一磁阻感测元件具相同一磁阻变化量；该第四磁阻感测元件与该第二磁阻感测元件具相同的一磁阻变化量。

15.一种磁阻感测元件，其特征在于：该磁阻感测元件包括一基材、一第一磁性层、一第二磁性层及一第三磁性层；该基材具有一基准平面；该第一磁性层位于该基准平面上方，并与该基准平面夹一第一非平角；该第一磁性层具有一第一磁化方向；该第二磁性层，位于该基准平面上方，并与该基准平面平行；该第二磁性层具有一第二磁化方向；该第三磁性层，位于该基准平面上方，并与该基准平面平行，且该第三磁性层具有一第三磁化方向，该第三磁化方向和该第二磁化方向垂直。