[发明专利]多层芯片电子元件有效
申请号: | 201310008006.9 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN103680815B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 韩镇宇;宋昭娟;安成庸;文炳喆;孙受焕 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/04 | 分类号: | H01F17/04;H01F27/28;H01F41/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 芯片 电子元件 | ||
1.一种多层芯片电子元件,该多层芯片电子元件包括:
多层本体,所述多层本体包括:多个磁性层,该多个磁性层上形成有导电图案;和转接电极,该转接电极电连接所述导电图案以沿层压方向形成线圈图案,所述多个磁性层包括:多个第一磁性层,该第一磁性层与所述导电图案形成通用层;和多个第二磁性层,该第二磁性层插设在所述第一磁性层之间,其中:
所述导电图案中的单个的导电图案的厚度大于所述第二磁性层中的单个的第二磁性层的厚度;
在所述线圈图案沿所述多层本体的长度方向和宽度方向投影,
所述线圈图案的内侧形成的面积被定义为Ai并且所述线圈图案的外侧形成的面积被定义为Ao,满足0.40≤Ai:Ao≤1.03,并且
所述线圈图案的面积被定义为Ae并且所述多层本体的沿所述长度方向和宽度方向的总面积被定义为At,满足0.13≤Ae:At≤0.78。
2.根据权利要求1所述的多层芯片电子元件,其中,所述第一磁性层被印刷成具有等于印刷在所述第二磁性层上的所述导电图案的厚度的厚度。
3.根据权利要求1所述的多层芯片电子元件,其中,所述多层芯片电子元件的长度和宽度分别具有2.0±0.1mm和1.6±0.1mm的范围。
4.根据权利要求1所述的多层芯片电子元件,其中,所述Ai是占据所述线圈图案的内侧的所述磁性层的面积。
5.根据权利要求1所述的多层芯片电子元件,其中,所述Ao是占据所述线圈图案的外侧的所述磁性层的面积。
6.根据权利要求1所述的多层芯片电子元件,其中,所述线圈图案包括沿所述宽度方向的导电图案和沿所述长度方向的导电图案,并且沿所述宽度方向形成的边缘部分的相对于沿所述长度方向的导电图案的宽度窄于沿所述长度方向形成的边缘部分的相对于沿所述宽度方向的导电图案的宽度。
7.一种多层芯片电子元件,所述多层芯片电子元件包括:
多层本体,该多层本体通过堆叠多个磁性层而形成;和
导电图案,该导电图案布置在所述多个磁性层之间并且沿层压方向电连接以形成线圈图案,所述多个磁性层包括:多个第一磁性层,该第一磁性层与所述导电图案形成通用层;和多个第二磁性层,该第二磁性层插设在所述第一磁性层之间,其中:
所述导电图案中的单个的导电图案的厚度大于所述第二磁性层中的单个的第二磁性层的厚度,
所述线圈图案中的单个线圈图案沿所述多层本体的长度方向和宽度方向投影,所述线圈图案内侧的所述磁性层的面积被定义为Ai并且所述线圈图案外侧的所述磁性层的面积被定义为Ao,满足0.40≤Ai:Ao≤1.03。
8.根据权利要求7所述的多层芯片电子元件,其中,当所述线圈图案的面积被定义为Ae并且所述多层本体的沿所述长度方向和宽度方向投影的总面积被定义为At时,满足0.13≤Ae:At≤0.78。
9.根据权利要求7所述的多层芯片电子元件,其中,所述磁性层包括:
第二磁性层,在该第二磁性层中烧制有磁性基板;和
第一磁性层,该第一磁性层通过烧制而成,并且所述第一磁性层具有施加到所述第一磁性层上的磁性物质,以使得所述第一磁性层具有等于印刷在所述第二磁性层上的所述导电图案的厚度的厚度。
10.根据权利要求7所述的多层芯片电子元件,其中,所述线圈图案包括沿所述宽度方向的导电图案和沿所述长度方向的导电图案,并且沿所述宽度方向形成的边缘部分的相对于沿所述长度方向的导电图案的宽度窄于沿所述长度方向形成的边缘部分的相对于沿所述宽度方向的导电图案的宽度。
11.根据权利要求7所述的多层芯片电子元件,其中,所述多层芯片电子元件的长度和宽度分别具有2.0±0.1mm和1.6±0.1mm的范围。
12.根据权利要求7所述的多层芯片电子元件,其中,所述多层本体的长度是2.1mm或更小,并且所述多层本体的宽度是1.7mm或更小。
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