[发明专利]硅晶太阳能电池基板的制作方法

权利要求书

1.一种硅晶太阳能电池基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包含以下步骤：

(a)将一硅晶块材浸泡于一含有一硝酸银及一含水氢氟酸的混合溶液中，使该硝酸银与该硅晶块材持续产生一氧化还原反应以形成多个纳米银粒子及一第一氧化硅层，同时，使该含水氢氟酸持续移除该第一氧化硅层，并从而由该硅晶块材的一表面向内凹陷有多个纳米级沟槽；

(b)在该步骤(a)后，将该硅晶块材浸泡于一硝酸水溶液中以移除残留于所述纳米级沟槽中的纳米银粒子，并同时氧化该硅晶块材以形成一第二氧化硅层；及

(c)在该步骤(b)后，将该硅晶块材浸泡于一氢氟酸水溶液中以移除该第二氧化硅层，并从而制得该硅晶太阳能电池基板；

其中，该硝酸银在该混合溶液中的浓度是至少等于0.01M，以使该硅晶块材自其表面向内凹陷有所述纳米级沟槽，并使得一介于300nm～800nm波段间的光源在入射至该硅晶太阳能电池基板后所造成的平均反射率是低于6%。

2.如权利要求1所述硅晶太阳能电池基板的制作方法，其特征在于：该步骤(a)的一预定温度是介于20℃与35℃间。

3.如权利要求1所述硅晶太阳能电池基板的制作方法，其特征在于：该步骤(a)的硝酸银的浓度是介于0.01M与0.5M间。

4.如权利要求1所述硅晶太阳能电池基板的制作方法，其特征在于：该步骤(b)的硝酸水溶液的浓度是介于40%与70%间。