[发明专利]氮化硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅薄膜的制备方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气和稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其特征在于，高频源功率为0.15~0.30 KW，低频源功率为0.15~0.30 KW，低频源功率所占功率的比率为0~5%。

2.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述高频源功率为0.18 KW、低频源功率为0.25 KW。

3.根据权利要求2所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述通入硅烷的速率为300~350 sccm，通入氨气的速率为1000 sccm，反应压力为2.3~2.6 Torr，反应持续时间为4~6 s。

4.根据权利要求3所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述通入硅烷的速率为340 sccm，反应压力为2.6 Torr，反应持续时间为5 s。

5.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述环境温度为300℃。

6.根据权利要求1至5任一项所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀释气体为氮气。

7.根据权利要求6所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，通入氮气的速率为1000 sccm。