[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

液膜形成工序，向基板的表面供给含有溶媒物质的溶媒蒸气，来通过含有上述溶媒物质的液膜覆盖基板的表面，其中，上述溶媒物质能够溶解氟化氢；

蚀刻工序，向被含有上述溶媒物质的液膜覆盖的基板的表面供给含有氟化氢的蚀刻蒸气。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，上述溶媒物质是能够溶解氟化氢以及水的物质。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，上述溶媒物质是能够溶解氟化氢以及水且沸点比水的沸点低的有机化合物。

4.根据权利要求1或者2所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括：向被上述液膜覆盖的基板的表面供给含有氟化氢和上述溶媒物质的上述蚀刻蒸气的工序。

5.根据权利要求1或者2所述的基板处理方法，其特征在于，包括反复工序，上述反复工序是将包括上述液膜形成工序和上述蚀刻工序的一个循环进行多次的工序。

6.根据权利要求1或者2所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板是在表面形成有氮化膜的基板。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板是在表面形成有氮化膜以及氧化膜的基板。

8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

基板保持单元，用于保持基板；

溶媒蒸气供给单元，向被上述基板保持单元保持的基板的表面供给含有溶媒物质的溶媒蒸气，其中，上述溶媒物质能够溶解氟化氢；

蚀刻蒸气供给单元，向被上述基板保持单元保持的基板的表面供给含有氟化氢的蚀刻蒸气；

控制装置，通过控制上述溶媒蒸气供给单元，执行向基板的表面供给上述溶媒蒸气，来通过含有上述溶媒物质的液膜覆盖基板的表面的液膜形成工序，并且通过控制上述蚀刻蒸气供给单元，执行向被含有上述溶媒物质的液膜覆盖的基板的表面供给上述蚀刻蒸气的蚀刻工序。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述溶媒蒸气供给单元向被上述基板保持单元保持的基板的表面供给含有上述溶媒物质的上述溶媒蒸气，其中，上述溶媒物质能够溶解氟化氢以及水。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述溶媒蒸气供给单元向被上述基板保持单元保持的基板的表面供给含有作为上述溶媒物质的有机化合物的上述溶媒蒸气，其中，上述有机化合物能够溶解氟化氢以及水且沸点比水的沸点低。

11.根据权利要求8或者9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述蚀刻蒸气供给单元包括混合单元，该混合单元通过使上述溶媒蒸气和上述蚀刻蒸气相混合，来生成含有上述溶媒蒸气和上述蚀刻蒸气的混合蒸气，并且上述混合单元将上述混合蒸气引导至被上述基板保持单元保持的基板，

上述控制装置执行包括特定工序的上述蚀刻工序，该特定工序为向被含有上述溶媒物质的液膜覆盖的基板的表面供给上述混合蒸气的工序。

12.根据权利要求8或者9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制装置执行反复工序，上述反复工序是将包括上述液膜形成工序和上述蚀刻工序的一个循环进行多次的工序。